尽管现代FPGA包含内部存储器,但可用存储器的数量始终比专用存储器芯片的存储器数量级低几个数量级。因此许多FPGA设计人员在其FPGA上附加某种类型的存储器也就不足为奇了。由于其高速和低成本,SDRAM是非常流行的存储器。它们不像静态存储器那样容易控制,因此经常使用SDRAM控制器。FPGA器件属于专用集成电路中的一 ...
By Toradex 胡珊逢 1). 简介 NXP iMX8 是 NXP 近期发布的基于 Cortex-A72 、 Cortex-A53 等性能非常强大的的 ARM 处理器, 默认 BSP 是基于 Yocto 工程编译,这是一个精简的产品级 Linux BSP 。但是对于习惯 Ubuntu 环境的用户,特别是 RO ...
By Toradex 秦海 1). 简介 NXP iMX8X 是 NXP 近期发布的基于 Cortex-A35 和 Coretex-M4 异构多核架构的 ARM 处理器,支持两路 MAC 控制器,可以通过外置百兆或者千兆 PHY 芯片扩展两路以太网接口,本文就采用 Toradex 基于 NXP iMX8X SoC 的 ARM 核心板模块 Colibri iMX8X 示例扩展两路以太网。 2) ...
MM32L073使用高性能的ARM®CortexTM-M0为内核的32位微控制器,最高工作频率可达48兆赫兹,内置高速存储器,丰富的增强型I/O端口和外设连接到外部总线。 灵动微核心代理商英尚微电子所提供的 MM32L073产品包含1个12位的ADC、2个比较器、1个16位通用定时器、1个32位通用定时器、3个16位基本定时器、1个16位高级定时器。 ...
非易失性MRAM芯片组件通常在半导体晶圆厂的后端工艺生产,下面英尚微电子介绍关于 MRAM 关键工艺步骤包括哪几个方面. (1)底部电极的形成(参考图1):经由传统图案化与镶嵌工艺形成的底部电极层需要抛光至平坦,并为MTJ堆栈沉积提供超光滑的表面。在这个步骤中,测量和控制底部电极的平滑度对组件性能至关重要,必须控制 ...
我们来看一下MCU设计中的情况,其中IoT RAM明显比外部DRAM具有优势。在下面的通用MCU图中,工作/静态存储器部分越来越需要扩展。在整个工作空间中使用DRAM会增加系统的功耗,并需要集成刷新控制器。 通过用IoT ram 替换DRAM,消除了对外部刷新控制器的需求,这降低了接口的复杂性和相关的验证成本,利用了外部SP ...
世界正在快速进入万物互联的IoT时代,智能手机、智慧家庭、智能网联汽车、智慧城市、工业物联网、可穿戴设备等已成为公众耳熟能详的词汇。尽管IoT的具体应用五花八门,包罗万象,但对于IoT边侧设备的要求却呈现出相当的一致性,即:低功耗、更强的计算能力、安全性和连接性。 这对IoT边侧设备的设计提出了全新 ...
Everspin与GlobalFoundries有着悠久的合作历史,而且十多年来,通过不断改进,对其工厂进行微调优化。能迅速积累并将这些经验传授给GlobalFoundries。Everspin表示会继续发展生态系统,来支持STT市场,并提供简单、快速的上市实施计划,从而让市场采用我们的工艺技术。 everspin 公司在生产嵌入式MRAM领域是行 ...
STT-MRAM越来越多地被广泛用于嵌入式内存应用之中,STT-MRAM 具有的高存储密度、低能耗、低误率等优势使其有着巨大的优势。以取代闪存、EEPROM和SRAM,有多家逻辑组件IDM /晶圆代工厂正在提供嵌入式STT-MRAM解决方案:其中还包括台积电(TSMC,22nm ULL CMOS)、三星(Samsung,28nm FD-SOI)、GLOBALFOUNDRIES (22nm FD-SOI) ...
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