日志

硅的隔离

已有 1708 次阅读| 2011-8-19 10:37

隔离技术很多种的,不同的工艺类型选择的隔离也相差很多
1对于BIPOLAR工艺，主要有Junction isolation \SBC\CDI
2对于CMOS主要有LOCOS（locos中又分为半埋入和全埋入、SILO、SWAMI等）、STI、SOS等
在SILICON Process中有很详细的介绍

LOCOS的英文翻译是: Local oxidation of silicon

LOCOS有三个主要的效应是：白带效应，鸟嘴效应，短沟效应。其中鸟嘴效应上课的时候说得比较多，主要是由于它会使氧化后的硅片表面变得不平坦。采用热生长垫氧的方法可以减少LOCOS工艺中的氮化物掩膜和硅片之间的应力，从而使鸟嘴显得不那么明显。

STI的英语翻译是:
Shallow trench isolation
主要用于<0.35um 以下的工艺
优点是台阶浅且隔离效果好