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积分器的补偿分析
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两级运放外加反馈电容（常称为肩膀电容），稳定性应该如何分析呢？
我以前有个错误观念，认为cf越大，运放第二级gm2就需要越大，因为根据米勒等效cf等效到输入(1+A)*cf，等效到输出cf。
错在哪里了？
我的错误在于分析环路（ntf）时，不应该“拆环”，而应该断环。只有分析STF才可以“拆环”。这时候应该断环断在运放差分对输入端。
cf确实会引入一个极点，极点位置在1/(2*pi*ri*cf)，（极点表达式不对，后面有推导）但是同时在原点引入一个零点，这样这个极点只为原点的零点而存在，对后面（高频处）的波特图没有任何影响。CL引入的极点才需要增大gm2。
还有一个问题：常听人说Cf过大需要用AB类来驱动，难道不是因为出现了低频极点吗？不是的，这是因为相同的电压，需要更大的充电电流，这只有AB类能满足。（这是为了满足slew rate）
gm*ro*RF*CF的大小是低频性能的表征，该值越大越好。
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发表评论 评论 (9 个评论)
- 回复 hebut_wolf
- 如果加了rf，零点位置就不在原点了，所以要看rf*cf和ri*cf的大小关系了
Axxxy: 如果加rf 是不是也一样？
- 回复 hebut_wolf
- 一般来说ri和rf是一个数量级，所以这对零极点也不会对环路有很大影响
Axxxy: 如果加rf 是不是也一样？
- 回复 hebut_wolf
- 更新了推导，这次简化的很成功
- 回复 hebut_wolf
- sc电路也适用这个结论，把RF换成1/(fs*ci)就可以了
- 回复 hebut_wolf
- 再次清除错误观念，改变Cf 梯形的高度是不变的，如果发生变化，那是运放本身的非理想特性（或是stb仿真中的泄漏）。 已经用matlab建模验证过了。
- 回复 hebut_wolf
- 再次强调，单级运放仿真时的泄露问题
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