它是利用Vgs来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道状况，然后达到控制漏极（D）电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成导电沟道，即使Vgs=0时也有较大的漏极电流Id。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流Id随栅极电压的变化而变化。

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R：需要的电阻 Rs：方块电阻 Wr：电阻的宽度

Sr：临近电阻条之间的距离

因子1.2：估算虚拟电阻，接触端头的及非理想布局所消耗的面积

例如：122KΩ，2KΩ/¨的HSR，宽度为6um，间距12um

例如：可以采用2um宽连线，相互距离为1.5um的工艺，其金属间隔等于3.5um，走线通道的宽度可以由下式确定：

电路launch→layout XL→þCreate New→þAutomatic→OK→Layout最下面的图标Generate All From Source→Generate选项卡下只勾选Instance→OK

答：抑制波纹，防止器件之间的干扰等。

版图XL→connectivity→update→connectivity reference→改一下电路

①　晶圆厂（或代理商）会发个IP地址与账号、密码，登录

②　选择右边“Launch Application”

③　在弹出的窗口，选择File→Load...→对应的文件

④　View→Set Level→选择层次

“+”=Or、 “*”=And、 “-”=Not、 “su”=Sizeing up、 “sd”=Sizing Down

①　load(“PATH/File_name”) 注意：load与括号之间没有空格

②　load “PATH/File_name” 注意：load与引号之间有空格

①　*.tar用tar -xvf解压

②　*.gz用zip -d或者gunzip解压

③　*.tar.gz和*.tgz用tar -xzf解压

④　*.bz2用bzip2 -d或者用bunzip2解压

⑤　*.tar.bz2用tar -xjf解压

⑥　*.Z用uncompress解压

⑦　*.tar.Z用tar -xZf解压

⑧　*.tar.z用tar -xzf解压

⑨　*.zip用unzip解压

1. 数字版图

①　单元高度一致

②　注意每个单元侧边要留足够的尺寸

③　单元内部尽量用M1和Poly走线

④　一般用最小尺寸

2. 大电流路径

①　金属线要足够宽，能够正常的流过大电流

②　大电流路径的金属走线不要过长

③　对于流过大电流的mos管要进行单管隔离

3. 关于匹配和对称性

①　器件方向一致，如mos管的栅，电阻的方向等

②　根器件的方法，即一个大的器件拆成几个小的器件的串联和并联

③　增加dummy，提高对称性

④　四方交叉的方法（共质心匹配）

4. 寄生电阻电容

①　在大电流路径要避免金属线和通孔寄生电阻过大，产生过大的压降（增加通孔）

②　金属线走线过长时，应加入buffer或调整布局，防止过大的RC延时影响电路功能

③　版图完成后一定要进行后仿真，通过仿真来确定版图的质量

5. 重要信号线的保护

①　对于重要的信号线，可以在信号线的上、下、左、右都布上地线，使用同轴屏蔽来避免干扰

②　同时，如果一条信号线的噪声比较大，也可以使用同轴屏蔽来避免它的噪声干扰

6. 数模混合版图

在数字部分布局布线完成后，需要用M1——Psub做一圈衬底接触，同时用Nwell接触打一圈Vdd，防止数字部分高频信号干扰模拟部分信号，也避免模拟部分射频信号的干扰。

7. 天线效应

①　当MOS管的栅与很大面积的金属连接时，如果金属面积与MOS管栅的面积超过一定的比例，就会产生天线效应

②　天线效应解决方法：跳线法、插入反偏二级管。