10 更改原理图后一定记得check and save

11 完成每个cell后要归原点 

12 DEVICE的 个数 是否和原理图一至(有并联的管子时注意);各DEVICE的尺寸是否和原理图一至。一般在拿到原理图之后,会对布局有大概的规划,先画DEVICE,(DIVECE之间不必用最小间距,根据经验考虑连线空间留出空隙)再连线。画DEVICE后从EXTRACTED中看参数检验对错。对每个device器件的各端从什么方向,什么位置与其他物体连线 必须 先有考虑(与经验及floorplan的水平有关)

13 如果一个cell调用其它cell,被调用的cell的vssx,vddx,vssb,vddb如果没有和外层cell连起来,要打上PIN,否则通不过diva检查.尽量在布局低层cell时就连起来 

14 尽量用最上层金属接出PIN 

15 接出去的线拉到cell边缘,布局时记得留出走线空间

16 金属连线不宜过长

17 电容一般最后画,在空档处拼凑

18 小尺寸的mos管孔可以少打一点

19 LABEL标识元件时不要用y0层,mapfile不认

20 管子的沟道上尽量不要走线;M2的影响比M1小

21 电容上下级板的电压注意要均匀分布;电容的长宽不宜相差过大。可以多个电阻并联

22 多晶硅栅不能两端都打孔连接金属

23 栅上的孔最好打在栅的中间位置

24 U形的mos管用整片方形的栅覆盖diff层,不要用layer generation的方法生成U形栅

25 一般打孔最少打两个 

26 Contact面积允许的情况下,能打越多越好,尤其是input/output部分,因为电流较大.但如果contact阻值远大于diffusion则不适用.传导线越宽越好,因为可以减少电阻值,但也增加了电容值

27 薄氧化层是否有对应的植入层  

28 金属连接孔可以嵌在diffusion的孔中间

29 两段金属连接处重叠的地方注意金属线最小宽度 

30 连线接头处一定要重叠,画的时候将该区域放大可避免此错误

31 摆放各个小CELL时注意不要挤得太近,没有留出走线空间。最后线只能从DEVICE上跨过去

32 Text2,y0层只是用来做检查或标志用,不用于光刻制造

33 芯片内部的电源线/地线和ESD上的电源线/地线分开接;数模信号的电源线/地线分开

34 Pad的pass窗口的尺寸画成整数90um

35 连接Esd电路的线不能断,如果改变走向不要换金属层 

36 Esd电路中无VDDX,VSSX,是VDDB,VSSB

37 PAD和ESD最好使用M1连接,宽度不小于20um;使用M2连接时,pad上不用打VIA孔,在ESD电路上打

38 PAD与芯片内部cell的连线要从ESD电路上接过去

39 Esd电路的SOURCE放两边,DRAIN放中间

40 ESD的D端的孔到poly的间距为4,S端到poly的间距为^+0.2.防止大电流从D端进来时影响poly

41 ESD的pmos管与其他ESD或POWER的nmos管至少相距70um以上

42 大尺寸的pmos/nmos与其他nmos/pmos(非powermos和ESD)的间距不够70um时,但最好不要小于50um,中间加NWELL,打上NTAP

43 NWELL和PTAP的隔离效果有什么不同?NWELL较深,效果较好

44 只有esd电路中的管子才可以用2*2um的孔.怎么判断ESD电路？上拉P管的D/G均接VDD,S接PAD;下拉N管的G/S接VSS,D接PAD.P/N管起二极管的作用

45 摆放ESD时nmos摆在最外缘,pmos在内

46 关于匹配电路,放大电路不需要和下面的电流源匹配。什么是匹配？使需要匹配的管子所处的光刻环境一样。匹配分为横向,纵向,和中心匹配。1221为纵向匹配,12为中心匹配（把上方1转到下方1时,上方2也达到下方2位置）21中心匹配最佳 

47 尺寸非常小的匹配管子对匹配画法要求不严格.4个以上的匹配管子,局部和整体都匹配的匹配方式最佳

48 在匹配电路的mos管左右画上dummy,用poly,poly的尺寸与管子尺寸一样,dummy与相邻的第一个poly gate的间距等于poly gate之间的间距

49 电阻的匹配,例如1,2两电阻需要匹配,仍是1221等方法。电阻dummy两头接地vssx

50 Via不要打在电阻体,电容(poly)边缘上面

51 05工艺中resistor层只是做检查用

52 电阻连线处孔越多,各个VIA孔的电阻是并联关系,孔形成的电阻变小

53 电阻的dummy是保证处于边缘的电阻与其他电阻蚀刻环境一样

54 电容的匹配，值，接线，位置的匹配

55 电阻连接fuse的pad的连线要稍宽,因为通过的电流较大.fuse的容丝用最上层金属

56 关于powermos

① powermos一般接pin，要用足够宽的金属线接

② 几种缩小面积的画法

③ 栅的间距？无要求。栅的长度不能超过100um

57 Power mos要考虑瞬时大电流通过的情况,保证电流到达各处的路径的电阻相差不大.(适应所有存在大电流通过的情况)

58 金属层dummy要和金属走向一致，即如果M2横走，M2的dummy也是横走向

59 低层cell的pin,label等要整齐,and不要删掉以备后用

60 匹配电路的栅如果横走，之间连接用的金属线会是竖走，用金属一层，和规定的金属走向一致

61 不同宽度金属连接的影响？整个layout面积较大时影响可忽略

62 输出端节电容要小.多个管子并联,有一端是输出时注意做到这点

63 做DRACULA检查时,如果先运行drc,drc检查没有完毕时做了lvs检查,那么drc检查的每一步会比lvs检查的每一步快;反之,lvs会比 drc快

64 最终DRACULA通过之后在layout图中空隙处加上ptap,先用thin-oxid将空隙处填满,再打上孔,金属宽度不要超过10,即一行最多8 个孔(06工艺)

65 为防止信号串扰,在两电路间加上PTAP,此PTAP单独连接VSS PAD

66 金属上走过的电压很大时,为避免尖角放电,拐角处用斜角,不能走90度度的直角

67 如果w=20,可画成两个w=10mos管并联

68 并联的管子共用端为S端,或D端;串联的管子共用端为s/d端

84 电阻忘记加dummy

85 使用NS功能后没有复原(选取AS),之后又进行整图移动操作,结果被NS的元件没有移动,图形被破坏

86 使用strech功能时错选.每次操作时注意看图左下角提示

87 Op电路中输入放大端的管子的衬底不接vddb/vddx

88 是否按下capslock键后没有还原就操作

89 电源线下面可以画有器件节省面积

90 电阻上面可以走线，画电阻的区域可以充分利用

91 电阻的长度画越长越省面积

92 走线时金属线宽走最小可以节省面积，并不需要走孔的宽度

93 做新版本的layout图时，旧图保存，不要改动或删除。减小面积时如果低层CELL的线有与外层CELL相连，可以从更改连线入手，减小走线面积