已知MET： 

5V PMOS：（W/L）=20/0.6  Min. =270（uA/um）

要走20mA，画的是W/L=50/1，160个管子。

求走过管子的MET宽度？

答：MET宽度约为20um。

答：因为UI和deepN在高温推结后，下方浓度很高，就使得上方浓度偏低，即为P-，N-。P-和N-无法与金属形成良好的合金（欧姆）接触，会形成较大的阻抗。所以需要在上方加入高浓度的P+，N+。P+和N+可以和金属形成良好的合金接触。所以要在上方加base（P+），deepN（N+）。

答：隔离岛是N外延（N+）,加电位与衬底P_sub（P+）形成反偏二极管，可防止漏电。

答：NPN电流驱动，VBE达到阈值电流导通。载流子垂直从发射区穿过发射扩散下的薄层基区流入集电区。

答：减小阻抗。如果铝条太细太窄，那流过的载流子浓度就越大，形成的阻抗越大。大电流走过，就会发热，影响芯片效果。防止负反馈。一般走大电流的金属线要有余量。

答：算集电极所接收发射极电荷的面积。

答：加大有效截面，基极的驱动效果更好。

①　先跑过LVS（为了确认坐标）

要在outputs选项卡里的Report/SVDB，勾选Generate data for calibre -xRC

②　Run PEX

Rules文件一般选.xRC文件，如果.xRC文件没有定义，查看.xRC，改用.LVS文件（视工艺而定），修改文件。

Input：Netlist选项勾选Export from Schematic Viewer

Output：选项卡选R+C+CC（电阻+寄生电容+耦合电容）

Netlist下的Format选CALIBREVIEW

③　Calibre View Setup

Output Library：修改Library（修改成SCH）

Calibre View Name：calibre_RC

其它默认

④　对应端口

在CIW窗口，输入“hiSetUserPreferences()”，回车确定。在弹出的界面中有一项是“Undo Limit”，就是设置撤消步数的，最多10步。

Vi dummy.drc内容如下：

layout SYSTEM GDSII

PRECISION 1000

RESOLUTION 1

DRC  RESULTS DATABASE “dummy_hier_flatten.gds”  GDSII  _dummy

DRC  MAXUMUM  RESULTS  ALL

DRC  SUMMARY  REPORT “dummy_hier.rpt”

LAYER M9 206

LAYER MAP 28 DATATYPE == 0  206

DUY_10=EXTENT（衬底不用重复加）

M9_2  =SIZE M9 BY 2

DUY_10_M9_2=DIY_10 NOT M9_2

Dummy_M9{@Add dummy for M9 layer

LL9=RECTANGLES  2211  OFFSET  00  INSIDE OF LAYER DUY_10_M9_2 MERGE  LL9

}

DRC  CHECK  MAP  Dummy_M9 GDSII 28 0 “dummy_hier_array.gds”  AREF DUM_CELL_M9  4 2 1

保存好dummy.drc文件→用run DRC→选择Rules文件为dummy.drc（注：跑的结果最好单独放一个文件）→跑完之后，导入dummy_hier_array.gds→就会出现有dummy Metal 的Top cell→调入版图→原点对齐。

DRC：

版图→Verify→DRC→Rules File：/home/lcm0315/lcc707/Diva_file/HX323.drc→Rules Library:þLC324（当前项目的Library）→点击Set switches→会弹出窗口，选择要检查的层次→OK

LVS：

①　版图→Verify→Extract→Rules File：/home/lcm0315/Icc707/Diva_file/Hx323.ext

→Rules Library：þLC324（当前项目的Library）→View Names Extracted：extracted

→会在当前cell下生成一个extracted

②　版图→Verify→LVS→分别Browser Schematic和extracted对应的电路和版图

→Rules File：/home/lcm0315/Icc707/com.lvs→Run（跑LVS）

→output（查看文件Si.out）→Error Display

③　Verify→Probe→þCross probe matched→Add Dev  /Add Net...

从电路查对应版图，打开电路probe。

从版图查对应电路，打开版图probe。

注：如果无法对应，查看LVS下的路径是否写了。

Latch up最易产生在易受外部干扰的I/O电路处，也偶尔发生在内部电路。

Latch up是指cmos晶片中，在电源power VDD和GND之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT（Bipolar Junction Transistor）相互影响而产生的低阻抗通路，它的存在会使VDD和GND之间产生大电流。随着IC制造工艺的发展，封装密度和集成度越来越高，产生Latch up的可能性会越来越大。

Latch up产生的过度电流量可能 会使芯片产生永久性的破坏。

Latch up的原理分析：

Q1为垂直PNP BJT，基极（B）是nwell，基极到集电极（C）的增益可达数百倍。

Q2是一侧面式NPN BJT，基极为p_sub，到集电极的增益可达数十倍。

Rwell是nwell的寄生电阻；Rsub是substrate的寄生电阻。

以上四元件构成可控硅（SCR）电路，当无外界干扰未引起触发时，两个BJT处于截止状态。集电极电流是集电极（C）到基极（B）的反向漏电流构成，电流增益非常小，此时latch up不会产生。当其中一个BJT的集电极电流受外部干扰突然增加到一定值时，会反馈至另一个BJT，从而使两个BJT因触发而导通，VDD至GND之间形成低阻抗通路，latch up产生。

①　芯片一开始工作时VDD变化，导致nwell和p_sub间寄生电容中产生足够的电流，当VDD变化率大到一定地步，会引起latch up。

②　当I/O信号变化超出VDD——GND的范围里，有大电流在芯片中产生，也会导致SCR的触发。

③　ESD静电加压，可能会从保护电路中引入少量带电载子到well或sub中，也会引起SCR触发。

④　当很多驱动器同时动作，负载过大，使power和gnd突然变化，也有可能打开SCR的一个BJT。

⑤　Well侧面漏电流过大。

①　在sub上改变金属的掺杂，降低BJT的增益。

②　避免source和drain的正向偏压。

③　增加一个轻掺杂的layer在重掺杂的sub上，阻止侧面电流从垂直BJT到低阻sub上的通路。

④　使用guard ring：P+ ring环绕nmos，并接GND。N+ ring环绕pmos，并接VDD。一方面可以降低Rwell和Rsub阻值，另一方面可阻止载子到达BJT的基极。如果可能，可再增加两圈ring。

⑤　Sub contact和well contact应尽量靠近source，以降低Rwell和Rsub的阻值。

⑥　使nmos尽量靠近GND，pmos尽量靠近VDD，保持足够的距离在pmos和nmos之间降低引发SCR的可能。

⑦　除I/O处需要采取防latch up的措施外，凡接I/O的内部mos也应圈guard ring。

⑧　I/O处尽量不使用pmos（nwell）

⑨　另外，对于电路较复杂的版图，例如LCD driver等有升压的电路，在启动之间，很多电压都是不定的，这样更容易引起latch up的可能，这时，可以在P、N器件之间，插入更深的well或埋层。

①　差分对mos匹配

②　信号对称连线

③　差分输入远离输出