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关于GGNMOS的用法

热度 10已有 98 次阅读| 2025-11-4 11:22 |系统分类:芯片设计

最近在设计电路地时候，用到了GGNMOS，之前一直觉得GGNMOS应该用于防止PAD电压过压地情况，但后面发现了它同时也能用于PAD电压过低的情况。

于是研究记录一下自己的一些想法：如果有错漏还请大家指正：

而当PAD加正压的时候，此时NMOS的衬底（P）和漏（N）的PN节反偏，当反偏的电压大于二极管（PN节）的雪崩击穿电压时，会产生一个很大的电流，这个电流再经过衬底的寄生电阻时，会抬高NMOS的寄生NPN管的基极电压，从而使得寄生的NPN管导通，进而产生一个电流的泄放路径，使得PAD电压变低。

对于GGNMOS，如果PAD加负压，那么NMOS的衬底（P）和漏（N）的PN节正偏，其实可以用电流从地流向PAD来理解，这样能够使得PAD的电压变高；

同理栅源短接的PMOS也可以类似地推导。