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有关带隙基准设计时遇到的问题以及解决的办法

热度 2已有 479 次阅读| 2025-7-30 20:21 |系统分类:芯片设计

1、带隙的核心电路中，如果用到的时BCD工艺中的BJT，如果是NPN，需要注意衬底的漏电。BCD工艺的BJT有四个端口，其中有一个衬底端口，衬底是P参杂的衬底，NPN的集电极生长在一个DNWLL或NBL上，再在DNWELL中加入P参杂，P参杂中的再生成基极，以及用N参杂生成发射机；这种NPN，其衬底会和N型的集电极会产生一个寄生的PN结，在高温时，这个PN结会漏电，符合PN结的反向饱和电流的公式：

image.png

所漏的点会通过P衬底流到地；

而对于PNP的BJT，其衬底不会漏电

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发表评论 评论 (4 个评论)

回复 kkker 2025-8-25 14:14
szd520: 漏电往衬底漏?衬底电位不是0吗？
由PN结的特性决定的，虽然PN结不导通，但还是会存在些许的漏电流
回复 kkker 2025-8-25 14:10
CQHMYYDS: 最后一句话，是不是打错了，应该是N衬底会和N型的集电极形成一个寄生的PN节
是的是的，打错字了
回复 szd520 2025-8-13 11:16
漏电往衬底漏?衬底电位不是0吗？
回复 CQHMYYDS 2025-7-31 13:09
最后一句话，是不是打错了，应该是N衬底会和N型的集电极形成一个寄生的PN节

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