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有关带隙基准设计时遇到的问题以及解决的办法

热度 1已有 213 次阅读| 2025-7-30 20:21 |系统分类:芯片设计

1、带隙的核心电路中,如果用到的时BCD工艺中的BJT,如果是NPN,需要注意衬底的漏电。BCD工艺的BJT有四个端口,其中有一个衬底端口,衬底是P参杂的衬底,NPN的基极生长在一个DNWLL或NBL上,再在DNWELL中加入P参杂,P参杂中的再生成基极,以及用N参杂生成发射机;这种NPN,其衬底会和N型的基极会产生一个寄生的PN结,在高温时,这个PN结会漏电,符合PN结的反向饱和电流的公式:

image.png

所漏的点会通过P衬底流到地;

而对于PNP的BJT,其衬底不会漏电


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发表评论 评论 (1 个评论)

回复 CQHMYYDS 2025-7-31 13:09
最后一句话,是不是打错了,应该是N衬底会和N型的集电极形成一个寄生的PN节

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