日志
gmid曲线的扫描方法
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一、扫描量说明
含义 | 公式 | calibrator公式 |
跨导效率 | gm/Ids | OS("/M0" "gmoverid") |
电路密度 | Ids/W | waveVsWave(?x OS("/M0" "gmoverid") ?y (OS("/M0" "ids") / VAR("W_sweep"))) |
截止频率 | ft=gm/(2Π*Cgg) | waveVsWave(?x OS("/M0" "gmoverid") ?y (OS("/M0" "gm") / (2 * 3.14 * OS("/M0" "cgg")))) |
本征增益 | gm/gds | waveVsWave(?x OS("/M0" "gmoverid") ?y (OS("/M0" "gm") / OS("/M0" "gds"))) |
本征增益 | self-gain | waveVsWave(?x OS("/M0" "gmoverid") ?y OS("/M0" "self_gain")) |
二、NMOS扫描
扫描之前最好仿真下管子的阈值电压。这里使用tsmc .18 nmos3v管子，Vth=786mV。
我们固定管子的W，L，Vds，将Vgs设为变量进行扫描，扫描的范围：Vth-50mV<Vgs<1.5V。这里解释下，为什么Vgs的下限不是0而是Vth-50mV。因为Vgs从0开始扫，管子在很长范围内是截止的，不是我们关系的工作区。Vth-50mV，可以观察到管子位于弱反型区。
原理图如下：
三、进行参数扫描
注意：ID/W曲线的纵坐标选择：log scale
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