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图示:
MOM就是finger插指电容,即利用同层metal边沿之间的C,为了省面积,可以多层metal叠加;
MIM是利用上下两层metal之间的C,即极板电容,下极板为Mn,上极板为Mn+1,因为普通的Mn和Mn+1在三维空间隔着氧化层离得比较远,所以C并不大。MIM会引入一层光罩(MCT之类),这一层做在Mn上面,Mn+1下面,用Vian与Mn+1相连,所以实际上是Mn与MCt之间的C,极板间距缩小,C变大
大工艺,一般都是mim电容,小工艺寄生比较大,而且一般metal层比较多,所以用mom电容更省面积
Q值:MOSCAP<MIM<MOM
品质因数Q:表征一个储能器件(如电感线圈、电容等)、谐振电路所储能量同每周损耗能量之比的一种质量指标。元件的Q值愈大,用该元件组成的电路或网络的选择性愈佳。Q值越高,损耗越小,效率越高。
在构造上,电容的上下极板是完全一样的