Process Antenna Effect，PAE-----------------------------

• 等离子刻蚀时，暴露在离子束下的金属或poly会积累电荷（就像一根天线一样，收集电荷）而产生电势，积累的电荷与暴露在离子束下金属面积成正比；如果积累了足够电荷的一根长金属线或POLY直接连接到MOS管的GATE上时，就会放电，栅氧会被击穿，导致芯片失效。

• 在金属互连线的制造过程中会产生大量游离电荷，对于游离电荷来说，一边是二氧化硅绝缘体材料，一边是金属，自然会往金属上聚集，金属像海绵把周围的水吸收进来。当积累的电荷逐渐变多，电势变高，金属就会找地方放电，越长的金属容易收集到更多的电荷，更容易引起天线效应。

• antenna ratio（天线比）定义为：构成所谓天线的导体面积与其相连的栅面积之比，比值越大天线效应越容易发生（这个值与工艺有关，常见为300：1），随着工艺尺寸越来越小，天线效应发生的可能越来越高；

• 消除天线效应的方法：就是要想办法减小antenna ratio；使直接连接到栅的导体面积变小；

  1.跳线法

  采用跳线法，断开存在天线效应的金属M1，一根长金属M1连接到GATE上，收集足够的电荷后，产生的电势超过栅氧承受的击穿电压后，栅氧被击穿

  2. 添加天线器件

  在存在天线效应的导体上添加反偏的二极管，为积累的电荷提供一个泄放回路，这样积累的电荷就不会对栅氧造成损坏，从而消除天线效应；

  

  3. 插入缓冲器Buffer

  通过在直接连接到栅的导体上插入缓冲器来切断长线消除天线效应

  

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