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2.2 功率器件的击穿机理
功率开关器件两特征:承受高反向击穿电压、大开态电流
击穿电压:器件在反偏电流急剧上升之前所能承受的最高阻断电压,大致分为雪崩击穿(可逆转)、热击穿(不可逆)
雪崩击穿:功率半导体器件工作在阻断状态时PN结附近会产生耗尽区并存在较强电场,载流子在强电场下被加速并与晶格发生碰撞,晶格价键上的电子在碰撞时获得的能量超过禁带宽度时,就可能使价带电子激发至导带,产生二次电子-空穴对,成为二次载流子。往复下的倍增效应使反向电流急剧上升,最终导致雪崩击穿。
雪崩击穿受温度和结面的曲率半径影响。温度升高,晶格自振动加强,载流子与晶格碰撞损失能力增加,能量积累速率降低,雪崩击穿的电压就会随温度的升高而增大。实际的PN结不是完全的平面,而是包含平面、柱面、球面三部分。结面的曲率大小影响电场分布,曲率大的地方会形成集中效应,容易发生提前击穿。
雪崩击穿按照发生的位置分为表面击穿和体内击穿,器件耐压由其中的较小者决定。一般而言,表面更易发生击穿(表面曲率大,晶格缺陷/表面态密度高于体内)
热击穿:载流子在高反向电压下获得能量,经过势垒区的电场加速,再将获得的能量通过碰撞传递给晶格,晶格热能增加,结温升高,本征载流子浓度迅速增加,反向饱和电流密度Js与结温形成正反馈,电流和温度无限增大,器件烧毁。
防止措施:增大器件的散热能力;反向饱和电流越小,热稳定性越好,所以半导体禁带宽度越大越好。