日志
MOS工作区域
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MOS管有多种工作区域
1.截止区
VGS-VTH≤0，
此时iD=0
2.非饱和区
VGS-VTH＞0，且0＜VDS≤VGS-VTH，
此时iD=K'(W/L)*[(VGS-VTH)-(VDS/2)]*VDS
3.饱和区
VGS-VTH＞0，且VDS＞VGS-VTH
此时iD=K'(W/2L)*[(VGS-VTH)^2
若考虑沟道长度调制效应，电流为iD=K'(W/2L)*[(VGS-VTH)^2（1+λVDS）
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MOS管有多种工作区域
1.截止区
VGS-VTH≤0，
此时iD=0
2.非饱和区
VGS-VTH＞0，且0＜VDS≤VGS-VTH，
此时iD=K'(W/L)*[(VGS-VTH)-(VDS/2)]*VDS
3.饱和区
VGS-VTH＞0，且VDS＞VGS-VTH
此时iD=K'(W/2L)*[(VGS-VTH)^2
若考虑沟道长度调制效应，电流为iD=K'(W/2L)*[(VGS-VTH)^2（1+λVDS）
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