已有 564 次阅读| 2025-2-7 12:07 |个人分类:sv|系统分类:芯片设计| c-module
NAND Flash 的data array 区域规模巨大,用verilog 建模,通常只是一个simple data module。
仿真效率不高,费时。
没有data cell 的vt 变化参数。
不方便建立细致的vt 退化效应。
这里有一个c-code 编写的nand array vt module 技术demo, 可以用DPI 方式接入verilog 仿真。有兴趣的可以私信我,或者发邮件给eum_helper@aliyun.com介绍如下图:
评论
查看 »
小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网 ( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )
GMT+8, 2025-3-4 20:13 , Processed in 0.013733 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.