MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关，骊微电子60-80V低压mos系列，常用于光伏储能、BMS、逆变器等领域，是光伏储能、BMS、逆变器专用mos管！

耐压60V mos管系列：主要有SVG062R8NL5、SVG063R5NL5、SVGP066R1NL5、SVG069R5ND、SVGP069R5NSA等，导通电阻RDS(on)(典型值)范围2.8mΩ-9.5mΩ，有PDFN56、TO252、SOP8封装，满足不同的电路拓扑结构与终端使用需求。

SVG062R8NL5 60v mos管采用PDFN56封装，漏源电压VDS=60V，导通电阻RDs(on)(典型值)=2.8 mΩ@VGs=10V。

SVG063R5NL5 60v耐压的mos管采用PDFN56封装，漏源电压VDS=60V，导通电阻RDs(on)(典型值)=3.5 mΩ@VGs=10V。

SVGP066R1NL5 60v大电流mos管采用PDFN56封装，漏源电压VDS=60V，导通电阻RDs(on)(典型值)=6.1 mΩ@VGs=10V。

SVG069R5ND 60v大功率mos管采用TO252封装，漏源电压VDS=60V，导通电阻RDs(on)(典型值)=9.5mΩ@VGs=10V。

SVGP069R5NSA 60v功率mos管采用SOP8封装，漏源电压VDS=60V，导通电阻RDs(on)(典型值)=9.5mΩ@VGs=10V。

80V低压mos系列：主要有SVGP082R6NL5A、SVG083R4NS、SVG083R4NT、SVG083R6NL5 、SVG086R0ND、SVG086R0NL5、SVG086R0NS、SVG086R0NT等，导通电阻RDS(on)(典型值)范围2.6 mΩ-6.0 mΩ，有DFN56、TO263、TO220、TO252等多种封装，满足不同的电路拓扑结构与终端使用需求。

80v低内阻mos管SVGP082R6NL5A 采用PDFN-8-5X6封装，漏源电压VDS=80V，导通电阻RDs(on)(典型值)=2.6 mΩ@VGs=10V，具有低栅极电荷、快关速度快、低反向传输电容等特点。

SVG083R4NS 80v低压mos管采用TO263封装，漏源电压VDS=80V，导通电阻RDs(on)(典型值)=3.4 mΩ@VGs=10V。

SVG083R4NT耐压80v的mos管采用TO220封装，漏源电压VDS=80V，导通电阻RDs(on)(典型值)=3.4 mΩ@VGs=10V。

SVG083R6NL5 80v的大功率mos管采用PDFN56封装，漏源电压VDS=80V，导通电阻RDs(on)(典型值)=3.6 mΩ@VGs=10V。

SVG086R0ND 80v mos管采用TO252封装，漏源电压VDS=80V，导通电阻RDs(on)(典型值)=6.0 mΩ@VGs=10V。

SVG086R0NL580v大电流mos管采用PDFN56封装，漏源电压VDS=80V，导通电阻RDs(on)(典型值)=6.0 mΩ@VGs=10V。

80v mos管型号SVG086R0NS采用TO263封装，漏源电压VDS=80V，导通电阻RDs(on)(典型值)=6.0 mΩ@VGs=10V。

SVG086R0NT 80v N沟道mos管采用TO220封装，漏源电压VDS=80V，漏极电流Tc=25℃：120A，导通电阻RDs(on)(典型值)=6.0mΩ@VGs=10V，是120A、80V N沟道增强型场效应管。

低压30-200V mos管系列具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点，广泛应用于逆变电源、智能家居、新能源电子领域：如智能音响、家用电器、LED照明、充电器、汽车电子、电瓶车、电脑电源等行业，更多MOS器件替换及产品手册、参数等方案资料请向士兰微代理骊微电子申请。>>