骊微电子电源ic的个人空间 https://blog.eetop.cn/1711918 [收藏] [复制] [分享] [RSS]

空间首页 动态 记录 日志 相册 主题 分享 留言板 个人资料

日志

低压-30V/-100V/-150V耐压p-mos管选型参数,士兰p型mos管选型!

已有 214 次阅读| 2023-1-3 15:13 |系统分类:芯片设计| p-mos管

P型MOS管是一种适合在低速、低频领域内应用的器件,P-MOSFET的栅极是绝缘的,属于电压控制器件,因而输入阻抗高,驱动功率小,电路简单。和N沟道 MOSFET产品相比,P沟道MOSFET产品需求远小,但在某些应用领域,P沟道MOSFET因其本身的电性特点,有其不可替代性,目前骊微电子可提供-30 ~ -150V,-3~-46A的P 沟道 MOSFET解决方案,封装主要有SOP-8、TO-252、PDFN33等系列。


SVT03110PL3 -30V p沟道增强型mos管采用PDFN-8-3*3封装,提供了超低的导通电阻和栅极电容,漏源电压-30V,漏极电流-46A,RDs(on)(典型值))=7.0mΩ@Vcs=10V,典型应用于移动电源、吸尘器、笔记本电脑、充电器等领域。


SVT03380PSA -30V p-mos管采用SOP-8封装,具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量,是-6.5A、-30V P沟道增强型场效应管,,RDs(on)(典型值))=38mΩ@Vcs=10V,典型应用于POS机、打印机、TV、电动工具、储能等领域。


SVT10500PD 100v耐压p-mos管采用TO-252封装,漏源电压:-100V,漏极电流:-30A,RDS(on)(典型值)=35mΩ@VGS=10V,典型应用于报警器、储能、电动工具等。


SVGP15161PL3A P沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用PDFN-8-3*3封装,漏源电压:-150V,漏极电流:-9A,RDS(on)(典型值)=130mΩ@VGS=10V,典型应用于5G电源、通讯电源、通讯设备等。


SVGP15751PL3 -3A -150V p型mos管采用DFN-8-3*3封装,具有开关速度快、低栅极电荷、低反向传输电容等特点,是-3A、-150VP沟道增强型场效应管,RDS(on)(典型值)=665mΩ@VGS=10V,广泛应用于5G电源、通讯电源、通讯设备等不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。


近年来随着国内家电、电池保护、电动工具、电源、三表、汽车后装市场、玩具、手机、充电器等市场,MOSFET国产替代的需求旺盛,更多P 沟道MOSFET和N 沟道MOSFE产品选型及进口代换型号手册、参数等资料请向士兰微代理骊微电子申请。>>



点赞

评论 (0 个评论)

facelist

您需要登录后才可以评论 登录 | 注册

  • 关注TA
  • 加好友
  • 联系TA
  • 0

    周排名
  • 0

    月排名
  • 0

    总排名
  • 0

    关注
  • 2

    粉丝
  • 0

    好友
  • 0

    获赞
  • 0

    评论
  • 3490

    访问数
关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-3-28 17:44 , Processed in 0.013840 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
返回顶部