S71KL512SC0BHB003是一款多芯片封装的Flash+RAM内存器件。该产品结合了高速NOR闪存和自刷新DRAM，适用于空间受限、成本优化的物联网和嵌入式设计‌。

S29GL256S10DHB023是一款NOR闪存芯片，采用BGA-64封装，适用于各种电子设备中作为非易失性存储器使用。

S79FL512SDSMFBG03是一款NOR闪存芯片，支持Execute in Place（XiP）、Error Checking and Correction（ECC）以及Advanced Sector Protection（ASP）等功能‌，非常适合用于需要高可靠性和长数据保留时间的各种应用场景。

技术规格

1、S79FL512SDSMFBG03

存储器类型：非易失

存储器格式：闪存

技术：FLASH - NOR

存储容量：512Mb

存储器组织：64M x 8

存储器接口：SPI - 四 I/O

时钟频率：80 MHz

写周期时间 - 字，页：-

电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V

工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）

等级：汽车级

资质：AEC-Q100

安装类型：表面贴装型

器件封装：16-SOIC

2、S29GL256S10DHB023

存储器类型：非易失

存储器格式：闪存

技术：FLASH - NOR

存储容量：256Mb

存储器组织：16M x 16

存储器接口：并联

写周期时间 - 字，页：60ns

访问时间：100 ns

电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V

工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）

等级：汽车级

资质：AEC-Q100

安装类型：表面贴装型

器件封装：64-FBGA（9x9）

3、S71KL512SC0BHB003

存储器类型：非易失性，易失性

存储器格式：FLASH，RAM

技术：FLASH，DRAM

存储容量：512Mb（闪存），64Mb（RAM）

存储器组织：-

存储器接口：并联

时钟频率：100 MHz

写周期时间 - 字，页：-

电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V

工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）

等级：汽车级

资质：AEC-Q100

安装类型：表面贴装型

器件封装：24-FBGA（6x8）

应用场景

这些闪存芯片广泛应用于汽车电子、工业控制、通信设备等领域。其高可靠性和长寿命特性使其成为关键存储设备的理想选择。

明佳达-Infineon闪存芯片——S71KL512SC0BHB003 S29GL256S10DHB023 S79FL512SDSMFBG03 FLASH 存储器