STM32G0B0CET6是基于高性能arm® Cortex®-M0+ 32位RISC内核，工作频率高达64 MHz。它们具有很高的集成度，适用于消费、工业和家电领域的各种应用，并可用于物联网（IOT）解决方案。

STM32G0B0CET6的特点

144KB的SRAM（128KB的HW奇偶校验）。

电压范围：2.0 V至3.6 V

4至48 MHz晶体振荡器

带校准的32 kHz晶体振荡器

内部16 MHz RC，带PLL选项（±5 %）。

上电/掉电复位(POR/PDR)

低功耗模式： 睡眠、停止、待机

12位，0.4 µs ADC（最多16个外部通道）

高达16位，带硬件超采样

转换范围： 0至3.6V

USB 2.0 FS设备和主机控制器

512KB带保护的闪存，两组，支持边读边写

——应用领域

STM32G0B0CET6微控制器适用于各种需要高效能、低功耗的嵌入式系统，如工业控制、智能家居、医疗设备、仪器仪表等。其高集成度和丰富的外设接口使其在需要多功能的嵌入式应用中表现出色。

IPP075N15N3G N-通道功率MOSFET 150V 100A TO220-3 OptiMOS™ 3

基本参数

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：150 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.5 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 270µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：93 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5470 pF @ 75 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：300W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

器件封装：TO220-3

IPP075N15N3G 是一款高性能N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装，专为高效率电源转换和高功率应用而设计。作为OptiMOS™系列的一员，该器件在150V电压等级中实现了行业领先的OptiMOS™ R DS(on) 和品质因数（FOM），相比次优竞品降低了40%的导通电阻和45%的FOM。这一显著改进使设计者能够用单个OptiMOS器件替代原有的两个并联器件，或从插件封装转向更紧凑的SMD封装。

——应用场景

IPP075N15N3G适用于多种应用领域，包括但不限于：

‌家用电器‌

‌安防设备‌

‌3C数码产品‌

‌智能家居

AM3703CBPD100 Sitara 处理器：Arm Cortex-A8、摄像机

技术规格

核心处理器：ARM® Cortex®-A8

内核数/总线宽度：1 核，32 位

速度：1.0GHz

协处理器/dsp：多媒体；NEON™ SIMD

RAM 控制器：SDRAM

图形加速：无

显示与接口控制器：LCD

以太网：-

SATA：-

USB：USB 2.0（4）

电压 - I/O：1.8V

工作温度：-40°C ~ 90°C（TJ）

安全特性：-

安装类型：表面贴装型

封装/外壳：515-WFBGA

AM3703CBPD100 是德州仪器推出的 Sitara™ 系列高性能微处理器，基于 ARM® Cortex®-A8 架构，采用 45nm 工艺 制造，主频高达 1.0GHz。该芯片采用 515-POP-FCBGA（12×12mm）封装，适用于 工业控制、嵌入式视觉、消费电子 等应用场景。

——典型应用

AM3703CBPD100由于其高性能和多种接口支持，适用于需要高处理能力和多种通信接口的嵌入式系统，如工业控制、通信设备、医疗设备等‌。