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介绍4款IGBT 模块:FZ1200R33HE4DB9 FZ1200R45HL4S7 FZ1200R45KL3B5P2 FZ1500R45KL3B5- ...

已有 115 次阅读| 2024-11-8 10:46 |个人分类:明佳达供求|系统分类:硬件设计| IGBT模块

前言:

这些先进IGBT功率模块产品系列它们拥有不同的电路结构、芯片配置和电流电压等级,适用于几乎所有应用。市场知名的62 mm、Easy和Econo系列、IHM / IHV B系列、PrimePACK™和XHP™系列功率模块都采用了最新的IGBT技术。它们有斩波器、DUAL、PIM、四单元、六单元、十二单元、三电平、升压器或单开关配置,电流等级从6 A到3600 A不等。IGBT模块的适用功率小至几百瓦,高至数兆瓦。这些产品可用于通用驱动器、牵引、伺服装置和可再生能源发电(如光伏逆变器或风电应用)等应用,具有高可靠性、出色性能、高效率和使用寿命长的优势。

下面为大家介绍4款IGBT 模块:FZ1200R33HE4DB9 FZ1200R45HL4S7 FZ1200R45KL3B5P2 FZ1500R45KL3B5-特征、及应用(明佳达电子供求IGBT模块)

产品.png

1、FZ1200R33HE4DB9 IHV B 3300 V,1200 A 190 mm单开关IGBT模块,带TRENCHSTOP™ IGBT4和发射极控制4二极管。

电气特性:

- VCES = 3300 V

- IC nom = 1200 A / ICRM = 2400 A

- 高电流密度

- 高DC稳定性

- 高短路能力

- 低开关损耗

- 低 VCEsat

- Tvj op = 150°C

- 沟槽栅 IGBT4

- 无与伦比的坚固性

- VCEsat 带正温度系数

- 低 Qg 和 Cres

应用:

• 大功率变流器

• 中压变流器

• 电机传动

• 牵引变流器

• UPS 系统

• 有源前级(能量回馈)


2、FZ1200R45HL4S7 IHV-B 4500 V,1200 A 190 mm单开关IGBT模块,带沟槽/场截止IGBT4,发射极控制4二极管和隔离AlSiC基板。

电气特性

- VCES = 4500 V

- IC nom = 1200 A / ICRM = 2400 A

- 高直流电压稳定性

- 高短路能力

- 高动态稳定性

- 低 VCEsat

- 沟槽栅 IGBT4

- VCEsat 带正温度系数

应用:

• 大功率变流器

• 中压变流器

• 输电与配电设备


3、FZ1200R45KL3B5P2 IHV 4500V、1200 A 190 mm单开关IGBT模块,采用第三代沟槽栅/场终止IGBT3和第三代发射极控制二极管。

电气特性

- VCES = 4500 V

- IC nom = 1200 A / ICRM = 2400 A

- 高直流电压稳定性

- 高动态稳定性

- 低 VCEsat

- 沟槽栅 IGBT3

- VCEsat 带正温度系数

- 高短路能力

机械特性

- 高爬电距离和电气间隙

- 碳化硅铝 (AlSiC) 基板提供更高的温度循环能力

- 加强绝缘封装,10.4kV 交流 60 秒

- 封装的 CTI > 600

- 绝缘的基板

应用

• 大功率变流器

• 中压变流器

• 电机传动

• 多电平逆变器

• 牵引变流器


4、FZ1500R45KL3B5 IHV 4500V/1500 A 190 mm 单开关 IGBT模块,配有第三代沟槽栅/场终止 IGBT、第三代发射极控制二极管和AlSiC绝缘基板。

电气特性

- VCES = 4500 V

- IC nom = 1500 A / ICRM = 3000 A

- 高直流电压稳定性

- 高动态稳定性

- 低 VCEsat

- 沟槽栅 IGBT3

- VCEsat 带正温度系数

- 高短路能力

机械特性

- 高爬电距离和电气间隙

- 碳化硅铝 (AlSiC) 基板提供更高的温度循环能力

- 加强绝缘封装,10.4kV 交流 60 秒

- 封装的 CTI > 600

- 绝缘的基板

应用

• 大功率变流器

• 中压变流器

• 电机传动

• 多电平逆变器

• 牵引变流器

注:本文部分内容与图片来源于网络,版权归原作者所有。如有侵权,请联系删除!


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