日志
功耗评估
| |||
| Cell Name | Capacitance | Leakage（125C,SS,1.32V) | Frequency | Gate Count | Toggle Rate | |
| NAND2_1 | 0.0036 pf | 0.0003 uW | 100 Mhz | 500,000 | 10% | |
Dynamic Power
I = (1/2)CVF = 0.0018e-12 x 1.32 x 1e6 = 2.376e-9 A/(MHz*Cell)
I = 2.376e-9 x 50e4 x 100 x 0.1 = 11.88 mA
Leakage Power
I = 0.0003e-6/1.2 x 50e4 = 125uA
Gate Count = Area(Total) / Area(NAND2_1)
Mos Count = Gate Count x 4
Corner：Cmax for Power/EM，RCmax for IR Drop
全部作者的其他最新日志
- • MCU常用降低功耗的方法
- • 杂记（一）
- • WFI/WFE指令区别
- • Formal Tips
- • 常用缩写/名词
/2 
eetop公众号
创芯大讲堂
创芯人才网