rom ram dram sdram flash
ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。
RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static
RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓
冲。另一种称为动态RAM(Dynamic
RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很
多,计算机内存就是DRAM的。
DRAM,动态随机存取存储器,需要不断的刷新,才能保存数据。 而且是行列地址复用的,许多都有页模式。 Dynamic Random Access Memory
SRAM,静态的随机存取存储器,加电情况下,不需要刷新,数据 不会丢失,而且,一般不是行列地址复用的。 Static Random Access Memory
SDRAM,同步的DRAM,即数据的读写需要时钟来同步。 Synchronous DRAM
FLASH存储器又称闪存,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦出可编程(EEPROM)的性能,还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据
(NVRAM的优势),U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里,嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备,然而近年来
Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位,用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。
flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情
况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN
Flash。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内
所有的位都写为1。NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND
flash只是用在8~128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、
Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。