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SRAM操作一点通

已有 1404 次阅读| 2012-2-2 17:57 |个人分类:IC设计

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SRAM操作一点通

最近操作了诸如UT62256,GM76C256,IS61LV5128等SRAM芯片，基本上他们的时序操作大同小异，在这里总结一些它们共性的东西，也提一些简单的快速操作SRAM的技巧。

这里就拿刚用着的IS61LV5128说吧，它的管脚分配如下：

具体什么功能我就不废话，上面都有。具体在硬件连接的时候，其实很多人喜欢直接把输出使能信号OE和片选信号CE接地，这样一来不仅节省了处理器和SRAM连接的管教数，而且在读写SRAM的时候其实只要对写使能信号WE操作就可以了，简化了软件部分。

SRAM的读写时序操作如下：

因为在硬件上已经把CE和OE拉低了，所以如果不希望读写SRAM的时候，实际上SRAM的数据总线上的值是这时候的地址总线上的地址对应的数据。所以为了避免误操作，我们可以把地址总线置高阻态，其实我们不去操作数据总线（最好不是复用的数据总线）也无大碍。因为这样简化了软硬件的设计。上面的时序图，我们也只要关心ADDR,DATA总线和WE信号。

具体操作是这样的，我们要写数据，（我这里是相对与用HDL操作SRAM而言的，软件读写可能有时间顺序的问题需要注意），那么比较高效率的操作是同时把WE拉低，送数据送地址，然后延时>TWC，把WE拉高，这时就把数据写入了相应地址了，就这么简单。因为数据的锁存不是在WE的上升沿，所以WE拉高后也没有必要保持数据总线的数据（即THD=0）。读数据就更简单了，只要把送需要读出的地址，然后延时>TAA后就可以读出你要的数据了。确实很简单的。

如果要高效的读写SRAM，那么对于FPGA/CPLD来说，我假设目前这个芯片是10ns（TWC）的读取速度，系统时钟50MHz(20ns)，我第一个时钟周期送地址，拉高（读）或者拉低（写）WE信号，送数据（写操作，读就把数据总线置高阻态），然后第二个时钟周期可以改变地址做下一步操作（如果是读数据这个时候同时把数据读出），如此下去，可以做到沿着时钟周期流水线般的读写数据。