热度 8| ||
LOCOS:
硅局部氧化隔离(Local Oxidation of Silicon)技术,是20世纪70年代提出的一种CMOS硅工艺中常用的器件隔离技术。CMOS工艺最常用的隔离技术就是LOCOS(硅的选择氧化)工艺,它以氮化硅为掩膜实现了硅的选择氧化,在这种工艺中,除了形成有源晶体管的区域以外,在其它所有重掺杂硅区上均生长一层厚的氧化层,称为隔离或场氧化层。常规的LOCOS工艺由于有源区方向的场氧侵蚀(SiN边缘形成类似鸟嘴的结构,称为“鸟喙效应 bird beak”)和场注入的横向扩散,使LOCOS工艺受到很大的限制。
STI:
浅槽隔离(shallow trench isolation),简称STI。是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺,通常用于亚0.25um工艺以下,利用掩模完成选择性氧化,主要绝缘材料是淀积SiO₂,
浅槽隔离主要分为三个部分:槽刻蚀,氧化硅填充,氧化硅平坦化。
1)槽刻蚀
(1)隔离氧化硅生成:氧化硅用于保护有源区在去掉氮化硅时免受化学污染
(2)氮化硅(Si₃N₄)淀积:氮化硅是坚硬的掩模材料,有助于保护STI氧化硅淀积过程中保护有源区;在化学机械抛光(CMP)中充当阻挡材料
(3)浅槽刻蚀:用氟基和氯基气体离子刻蚀
2)氧化硅填充
(1)沟槽衬垫氧化硅:高温生长一层150A的氧化硅
(2)浅槽CVD氧化物填充:淀积氧化硅
3)氧化硅平坦化
所以:
.35um 用的是LOCOS工艺
.18 .13 用的是STI工艺