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亚0.25um工艺流程（018um,013um）

热度 1已有 3576 次阅读| 2019-12-23 11:00 |个人分类:technology|系统分类:芯片设计

参考：半导体制造技术

（1）双阱工艺（2）浅槽隔离（STI）（3）栅结构（4）轻掺杂漏(LDD)注入（5）侧墙（6）源/漏(S/D)注入（7）接触孔（8）局部互联工艺

（1）双阱工艺

亚0.25um工艺通常采用双阱工艺（也称双管）来定义晶体管的有源区。双阱指的是N阱和P阱，每种阱至少包括3-5个步骤完成，通常采用倒掺杂技术（高能量，大剂量的注入，深入外延层大概1um），随后阱注入在相同区域进行，只是注入能量，结深，掺杂计量都减小，阱注入决定了晶体管的阈值工作电压，同时避免了闩锁效应等问题。

（2）浅槽隔离(STI)

浅槽隔离包括：槽刻蚀，衬垫氧化硅生长，沟槽氧化硅填充

（3）栅结构

包括：栅氧+多晶硅栅

（4）轻掺杂漏(LDD)注入

由于栅的宽度不断缩小，沟道不断减小，晶体管中公道长度的减小增加了源漏间电荷穿透的可能性，引起漏电，所以用这种技术减小漏电的发生

（5）侧墙

侧墙用来环绕多晶硅栅，防止后续工艺大剂量的源/漏(S/D)注入过于接近沟道而导致源漏串通

（6）源/漏(S/D)注入

为了形成倒参杂，源/漏(S/D)注入深度超过LDD，浅于双阱的结深

（7）接触孔

钛是作为接触孔的立项材料，电阻低，同时能够与硅发生充分反应，当温度大于700℃，钛和硅生成钛的硅化物（TiSi₂），钛和二氧化硅不发生反应，因此钛可以轻易的从二氧化硅表面去除