低压共源共栅电流镜（下图）的演化之路：

很明显，根据饱和区的电流电压平方律关系，大家都知道连接成二极管形式的mos管可以做简单的电流镜电路（下图）：

但是在短沟道器件（比如22 nm ,28nm）中，饱和区平方律关系不能保证，电流受Vds的影响，这个时候就要采用cascode电流镜（下图），此时M0和M3的栅压相同，其电流比和宽长比的比例是一致的，所以源级要保持一致，即X，Y电压要一致。可能有人要问，M3不会受沟长调制效应吗，V_P变化可能导致V_Y变化，从而X与Y点电压不一致。

无论P点的电压如何变化，Y点的电压几乎不变，这是CG级对CS级的隔离效果。原因是电流复制主要受M1和M2的复制比决定，电流不变，栅压一样，漏压自然不能变化。但代价呢？代价是（下图）V_P点会损失掉一个阈值电压的电压裕度。左图V_P最小是(V_GS3-V_TH3)+(V_GS2-V_TH2) ，两个过驱动电压，右图V_P最小是(V_GS3-V_TH3)+V_GS1，缺就缺在了X和Y相同上，所以右图是V_DS2=V_GS1，而左图可以是V_DS2=V_GS1-V_TH2=V_GS2-V_TH2, Vb最小是V_GS3+V_Y=V_GS3+(V_GS2-V_TH2)。

在工艺尺寸和电压都在scaling的情况下，一个阈值电压的损耗已经接受不了了，所以低压共源共栅电流镜就应运而生了。第一种：

R1精心选取，从而R1上承担阈值电压大小的电压，这样M1上的电压V_DS就是V_GS1-V_TH1 了。存在的问题是电阻的PVT波动大，很难电阻上的电压一直保持为阈值电压。好了，绕了一圈，主角出场了。

第一，很明显它能抑制沟长调制效应，A,B两点电压保持一致；第二，Vx的电压受Vb的影响，Vx>Vb-Vth0，Vb<V_GS1+V_TH0,  Vb=V_GS0+V_A>V_GS0+(V_GS1-V_TH1)，Vb最小值造成的Vx依旧是两个过驱动电压，所以没有多一个阈值电压的损耗。要求呢？ V_GS0+(V_GS1-V_TH1)<V_GS1+V_TH0 ，结果是要求V_GS0-V_TH0<V_TH1。必须调整M0的尺寸使其的过驱动电压远小于VTH1。

至此，结构大成。