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深亚微米工艺中的mutiplier和finger以及匹配问题

热度 10已有 7644 次阅读| 2015-9-21 15:38

结合最近一个AD项目的惨痛经历说一下需要注意的几点吧。

1、需要匹配的地方有，差分对称的器件和连线，有比例要求的电容电阻，偏置中以及偏置与运放的电流镜；2、匹配的器件所有参数除了multiplier也就是M可以不一样以外，其它参数一定要严格一致；3、保证schematic和版图严格完全的对应，注意你的layout engineer可能会按自己的经验和习惯做一些调整，而没有通知你，所以一定要好版图工程师沟通好。

再说m和fingers吧，这二者一定要严格区分。我接触的工艺里面m=1 nf=2的mos管与m=2 nf=1的mos管在相同偏置下电流会相差20%左右，而且二者的vth和beta也不一样。对电路性能会有什么影响想想都可怕，版图完成之后才发现自己弄混了m和finger对我来说简直就是噩梦。

从版图上看，一个mutiplier对应一个有源区（Active Area）。需要注意的是，即使是一个mos管的不同finger是分开的，只要在一个有源区内仍应认为是同一个mutiplier。

再强调一下，不匹配会使你的corner performance变得很糟糕。另外，为了减少版图阶段的麻烦，电路设计进入细调阶段就应该考虑版图，甚至可以自己画一个简单的版图看看面积以及效果。