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可控硅结构静电防护器件的防闩锁工程 2024-06-22: 导语：维持电压低易闩锁是高性能可控硅 SCR(Silicon Controlled Rectifier) 结构静电防护器件设计时需要克服的缺点。本文介绍三类避免 SCR ...; (83)次阅读|(0)个评论

低触发电压可控硅结构静电防护器件 2024-06-22: 导语：可控硅 SCR(Silicon Controlled Rectifier) 结构静电防护器件由于其自身的正反馈机制，具有单位面积泄放电流高、导通电阻小、鲁棒性强、防护级 ...; (72)次阅读|(0)个评论

多叉指MOSFET器件静电防护鲁棒性提升技巧 2024-06-22: 导语：栅极接地 NMOS 是一种广泛应用的片上 ESD 器件结构，为达到特定 ESD 防护等级，一般会采用多叉指版图形式来减小器件占用的芯片面积。 ...; (84)次阅读|(0)个评论

片上集成TVS器件保护总线接口芯片 2024-06-22: 导语：物联网组网将使得数据通信量骤增，而室外组网的高严苛和高噪声环境对数据传输的可靠性提出了更高的要求。因静电而造成的瞬态过压将影响数据传输的 ...; (71)次阅读|(0)个评论

静电测试模型与标准 2024-06-22: 导语：电子产品的静电失效来源于生产、装配、封装、运输、组装和测试各个环节。为了模拟电子产品在不同环境中的不同放电方式，以期完整地评估电子产品对 ...; (85)次阅读|(0)个评论

全芯片ESD防护网络 2024-06-22: 导语：据统计，静电放电（ Electro-Static Discharge, ESD ）造成的芯片失效占到集成电路产品失效总数的 38% 。完好的全芯片 ESD 防护 ...; (99)次阅读|(0)个评论

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