用tran仿真时,outputs-to be saved,选原理图上的节点terminal,自然可以仿真出电流,但电流有正有负,方向应该是从哪头流到哪头呢? MOS管的话,Drain极应该是正确的电流流向,Source极电流就完全是相反的。也就是说,在drain极测,电流流向为drain to source, 在source极测,电流流向是source to drain,实际是dra ...
The basic strategy with non-sinusoidal waveforms is to start with an estimate of how many harmonics might be required, and set the oversample factor to 8. Run the simulation. Reduce the number of harmonics by about 50% and run the simulation again. If the answer does not change, reduce the number o ...
常用的ESD保护器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等,因其具有雪崩击穿、雪崩与注入等特性,能够瞬间进入低阻态,故具有良好的电流泄放能力,可以作为ESD防护器件。这类器件在电应力下的I-V特性示意图见图1。 图1 常用ESD器件的I-V曲线示意图 1. Diode 在ESD设计中,Diode是一种常见的器件。图2为Diode ...
i 插入模式 普通模式/命令模式 ESC按键 返回到普通模式 v 可视模式; Ctrl + v 列可视模式; y 复制选中内容到0号寄存器 先光标至要复制的文本开始的地方,v进入可视模式,移动光标至要复制文本结束的地方,按y复制,此时即退出可视模式;移动光标至要粘贴的地方,按p粘贴。 +y  ...
self-heating是什么? 当做到FinFET工艺时才了解到这个名词,在平面工艺时都没有接触SHE(self-heating effect)这个概念。为什么到FinFET下开始需要注意SHE的影响了呢?下面参考一些材料总结一下分享,如有不准确的地方请帮指正。 SHE:自发热效应(self-heating effect),因为MOS底部和周边都是用Oxide隔离, ...
一次Trig写入一个byte发出去一个byte,如果再增加一个FIFO就好了 moduleUART_TX #( parameterBAUDRATE=115200, parameterFREQ_CLK=50000000 )( TX_DOUT,   ...
1、如果该模块版图比较敏感,那就先用P+(地)包起来,然后用N+(电源包起来);如果该模块版图属噪声源,那就先N+(电源)包起来,然后用P+(地)包起来。 2、n环接vdd,起到阻挡的作用 3、Nwell一般比ptap深得多,所以可以起到的阻挡作用比ptap强得多。只要不是大注入或很高的温度,我认为Nwell的阻挡作用比吸收作用更 ...
本文为明德扬原创及录用文章,转载请注明出处! 1.1 总体设计 1.1.1 概述 计算器是近代人发明的可以进行数字运算的机器。现代的电子计算器能进行数学运算的手持电子机器,拥有集成电路芯片,但结构比电脑简单得多,可以说是第一代的电子计算机,且功能也较弱,但较为方便与廉价,可广泛运用于 ...
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