tomchenri的个人空间 https://blog.eetop.cn/1768370 [收藏] [复制] [分享] [RSS]

空间首页 动态 记录 日志 相册 主题 分享 留言板 个人资料

日志

敏感模块围环里面为p环外面为n环

热度 2已有 555 次阅读| 2022-7-14 11:49 |系统分类:芯片设计

1、如果该模块版图比较敏感,那就先用P+(地)包起来,然后用N+(电源包起来);如果该模块版图属噪声源,那就先N+(电源)包起来,然后用P+(地)包起来。

2、n环接vdd,起到阻挡的作用

3、Nwell一般比ptap深得多,所以可以起到的阻挡作用比ptap强得多。只要不是大注入或很高的温度,我认为Nwell的阻挡作用比吸收作用更重要,因为毕竟衬底里面起作用的主要还是空穴。

4、以P衬底为例,接地的Ptap可以吸收多子空穴,可以排斥少子电子;接电源的Nwell可以吸收少子电子,排斥多子空穴。

5、外面全部是psub,多子满满的都是空穴,所以需要n环排斥。

2

点赞

刚表态过的朋友 (2 人)

评论 (0 个评论)

facelist

您需要登录后才可以评论 登录 | 注册

  • 关注TA
  • 加好友
  • 联系TA
  • 0

    周排名
  • 0

    月排名
  • 5

    总排名
  • 4

    关注
  • 65

    粉丝
  • 8

    好友
  • 160

    获赞
  • 21

    评论
  • 297

    访问数
关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-5-17 08:19 , Processed in 0.026353 second(s), 14 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
返回顶部