IGI60F100A1L 将单个 100 mΩ(典型值)600V 增强模式 CoolGaN 开关与专用栅极驱动器相结合,采用耐热增强型 8 x 8 mm QFN-21 封装。 由于输入和输出之间的电流功能隔离,功率级可以覆盖广泛的应用和拓扑。 深圳市明佳达电子(供应、回收)600V 功率级 CoolGaN晶体管(IGI60F100A1LAUMA1) IGI60F100A1L。 参数:IGI60F ...
作者:一博科技高速先生成员 黄刚 1mm等于39.37mil,1cm等于10mm,成语故事中的毫厘在生活中的确是一个很小的单位,但是在我们SI的领域里,已经是一个很大的衡量单位了。我们不会说这根走线的线宽是多少厘米,也不会说这块PCB板的板厚是多少厘米。尤其对于高速信号而言,一个眼图的UI都是以ps为单位的,也就是以mi ...
集成电路掩模设计(基础版图技术) https://bbs.eetop.cn/thread-127447-1-1.html (出处: EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网))
吞吐率=(plaintext bits + AD bits )/(cycles * period)
NMOS主要有两种ESD防护应用:一种是之前讲的GGNMOS,另一种是GCNMOS(Gate Coupling NMOS)。现阶段也已经出现了(Bulk Coupling NMOS),接下来 这两种ESD防护器件 都会进行讲解。 GCNMOS的工作原理与GGNMOS不同,GGNMOS是利用体寄生三极管的开启进行ESD静电流的泄放通路,而GCNMOS则利用了NMOS器件的 沟道 作为泄放 ...
这期聊一下LDMOS在ESD设计中的应用。LDMOS属于功率半导体器件,主要应用于高压场合。而针对高压芯片的ESD防护领域,可采取GGNLDMOS的设计思路。 在讲解LDMOS的ESD防护机理之前,先要简单解释下LDMOS的工作原理。 图一.nLDMOS结构示意图。 N-LDMOS为了提高器件的耐压性能,在器件内部制作了n-drift区 ...
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