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EM和HCL 2021-10-13
EM电迁移   金属电迁移问题用来表示导致芯片上金属互连线断裂、熔化等的一些失效原因。当电子流过金属线时,将同金属线的原子发生碰撞,碰撞导致金 ...
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芯片FIB 2021-09-14
      FIB( 聚焦离子束 ) 是将液态金属 (Ga) 离子源产生的离子束经过离子枪加速 , 聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像 . ...
(107)次阅读|(0)个评论

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数字后端的小白 2021-7-20 15:22
有源区有很多种角度理解它,也就有了很多个名字: 有源区是衬底上二氧化硅的开口,提供了注入杂质的通道,所以会叫diffusion,DIFF。。。; 它是场氧化层的反,经典CMOS工艺中,衬底上除了场氧化层的区域,就是有源区,所以也叫反型槽; 厚的场氧化层拿掉之后,最终只能拥有比较薄的氧化层,所以是薄氧区域,有人叫它“薄氧”,THIN; 这块区域,一般比周围氧化层要低洼一下,形似沟槽,所以也叫沟槽区,moat; 它是有源器件的重要组成部分,所以也叫有源区,Acitive Area,AA; ... ...
子非鱼1 2020-8-16 16:33
数字后端的小白: 请问你QQ号是多少
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