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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) › 日志

日志

分享 EM电迁移问题: chuanshaoke 2009-8-5 14:22; 金属电迁移问题用来表示导致芯片上金属互连线断裂、熔化等的一些失效原因。当电子流过金属线时，将同金属线的原子发生碰撞，碰撞导致金属的电阻增大，并且会发热。在一定时间内如果有大量的电子同金属原子发生碰撞，金属原子就会沿着电子的方向进行流动。这将会导致两个问题：第一，移动后的原子将在金属上留下一个空位， ...; 1595 次阅读|0 个评论热度 1

分享 IR Drop: chuanshaoke 2009-8-5 14:22; IR压降是指出现在集成电路中电源和地网络上电压下降或升高的一种现象。随着半导体工艺的演进金属互连线的宽度越来越窄，导致它的电阻值上升，所以在整个芯片范围内将存在一定的IR压降。IR压降的大小决定于从电源PAD到所计算的逻辑门单元之间的等效电阻的大小SoC设计中的每一个逻辑门单元的电流都会对设计中的其它逻辑门单 ...; 4890 次阅读|0 个评论热度 1

分享关于OCV的一些概念: chuanshaoke 2009-8-5 14:22; 关于OCV的一些概念看了前些天关于OCV的讨论,我想发表一下我关与OCV的一些见解 1.OCV 是On_Chip_Variration 的意思,他是为了计算在同一块芯片的工艺偏差.不同与lib里定义的corner的概念.后者是chip to chip the Variation. 2. OCV的timing caculate ...; 8103 次阅读|0 个评论

分享天线效应: chuanshaoke 2009-8-5 13:57; IC芯片中金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体，就象是一根根天线，当有游离的电荷时，这些“天线”便会将它们收集起来，天线越长，收集的电荷也就越多，当电荷足够多时，就会放电。 IC现代工艺中经常使用的一种方法是离子刻蚀（plasma etching），这种方法就是将物质高度电离并保持一定 ...; 3869 次阅读|0 个评论热度 1

分享数字专用集成电路的各个流程的软件: chuanshaoke 2009-8-5 13:57; 设计输入-功能仿真-综合-门级仿真-布局布线-布局布线后仿真. | | | ...; 756 次阅读|1 个评论

分享 debussy与nlint如何实现互相调用: chuanshaoke 2009-7-19 12:23; debussy与nlint如何实现互相调用呢？取消高亮 feitengyu 白领职员 UID 93791 帖子 543 精华 0 积分 430 资产 430 信元发贴收入 3315 信元推广收入 0 信元附件收入 835 信元&nbs ...; 1211 次阅读|0 个评论

分享 debussy: chuanshaoke 2009-7-19 11:53; debussy 是数字电路设计过程中的debug工具，有三个基本窗口： source code window: 提供了一个比较友好的界面，将整个设计的source code按设计的层次结构以树状排布，并且可以在代码上反标仿真结果，支持查找、寻找驱动等一些debug常用的操作 schematic window: 将设计原代码提取成电路图，有Hierarchy和Flatten两种方 ...; 938 次阅读|0 个评论

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