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关于OCV的一些概念

已有 8129 次阅读| 2009-8-5 14:22

 

关于OCV的一些概念

看了前些天关于OCV的讨论,我想发表一下我关与OCV的一些见解
  1.OCV 是On_Chip_Variration 的意思,他是为了计算在同一块芯片的工艺偏差.不同与lib里定义的corner的概念.后者是chip to chip the Variation.
2. OCV的timing caculate 和其他的不同,他的setup计算方法是,launch采用max_delay ,capature 采用min_delay,
hold 的计算则正好相反.我们以前用的BC_WC则是采用max_delay计算set_up ,min_delay 计算hold.
3. 在打开Si的情况下,系统默认的方式为OCV.
4. OCV的采用,应有OCV  Feature 的libaray下应用,对于一般的library, 在一般情况下,如果不是为了计算SI的情况下,没有必要采用。

 

 

 

对2.的补充:OCV计算max_delay ,min_delay时有多种选择,比如只把OCV加到clock path上,或者加到data path上,加到cell上,或net上,或者clock 和data path都加上

对4.有异议:使用一般的library,也可以计算OCV。工艺在90nm以下时,无论是否带SI,都要使用OCV
 

 

真正的OCV库,是指在同一块芯片内,由于工艺的偏差,造成lunach path 和capture path 的process variation ,所以一般真正OCV库有两个OC,一个是一般的OC(或者是default 的OC),而另一个是OCV的OC.在ss conner中,用前者计算max_delay 用后者计算min_delay,对于ff_lib ,则正好相反.对于版主所说的90nm都做OCV的话,如果不做SI,都用OCV的情况我想如果你同时用ss 和ff库去做OCV的话.是EDA vendor不建议的,因为这样算出的delay值会过于悲观,举例:如果是计算setup 的话,则会将capture的path 在 ss corner的情况下的的计算,而launtch path 会在ff OC的情况下计算,而事实上这情况不可能发生.
 一些愚见,请版主纠正.
当然不会同时用ss 和ff库去做OCV,一定是在同一个OC下来计算的
其实OCV没有什么神秘的,就暂时把它看作一个附加的uncertainty就好了(当然2者不完全一样),至于OCV的那个偏差从哪里得到?就有很多方法了,比如SI分析出来的incremental SDF是一个;功耗分析得到的instance voltage file也可以算一种OCV,加到STA中去;根据经验估算出的OCV也行。所以你就是只有一个default 的OC的库,也还是可以计算OCV的
不用两个库做OCV的话,如果你说要用SI那不用说,肯定是用OCV的,至于instance voltage  , 我认为这不是OCV的一种,如我前所说,OCV是为了cover工艺的偏差所可能导致的timing violation,借用斑主的uncertainty的概念的话这就是一块芯片内的工艺的uncertainty.对于不同的design,只要他采用同一家Foundry的库,他的OCV的计算系数都是一致的.而instnace volatage 则是跟具体的desig相关连的,不同的design会有不同的volatge file. 是P&R后根据IR drop 计算出来跟P&R相关,并非是由于工艺所造成的varation.,所以这并非是EDA 称的OCV. 至于估算自己设定的derate factor 我认为往往过于悲观,并不是针对具体的Foudry的具体的工艺.ps: 如果用voltage file 的话,采用一般的library(恒压源模式)来计算timing并不准确.所以要跟精确的计算的话,还需要基于恒流源的library.

[ 本帖最后由 lostgarden 于 2007-2-13 13:48 编辑 ]

 

确切地说instance voltage file 不是OCV,但是把这个概念扩展开来,on chip variation就是同一个芯片中因为位置的不同而引起的误差,那么voltage file也算一种。OCV不但与工艺有关,也与具体的desig相关,并不是一个恒定的系数。至于说根据经验估算OCV,也是要在Foudry提供的具体数据公式之上的,是否过于悲观取决于Foudry。回到原来的话题上来,就是使用一般的library,OCV还是可以也应该计算。

你说的恒流源的library是一个新的概念,现在的著名EDA厂家都在这反面努力,很值得关注。
 
 

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