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工艺| 工艺| IC| 常识| 传感器原理与应用| 电路设计|

分享 fpga/sopc开发快速入门: luckwhite 2010-1-22 09:28; http://www.eetop.cn/blog/?253033/; 个人分类: IC|898 次阅读|2 个评论

分享上拉电阻下拉电阻的总结: luckwhite 2010-1-22 09:25; http://www.eetop.cn/blog/html/59/82559-15695.html 这是我从 www.power-bbs.com 上转过来的,希望对大家有点帮助! 上拉电阻： 1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为3.5V），这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。 2、OC门 ...; 个人分类: IC|1420 次阅读|1 个评论热度 1

分享天线效应: luckwhite 2010-1-18 17:26; IC芯片中金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体，就象是一根根天线，当有游离的电荷时，这些“天线”便会将它们收集起来，天线越长，收集的电荷也就越多，当电荷足够多时，就会放电。 IC现代工艺中经常使用的一种方法是离子刻蚀（plasma etching），这种方法就是将物质高度电离并保持一定 ...; 个人分类: 工艺|2585 次阅读|0 个评论热度 1

分享闩锁效应（latch up）latch up: luckwhite 2010-1-18 16:40; 个人分类: 工艺|13531 次阅读|35 个评论热度 2

分享 STI工艺介绍: luckwhite 2010-1-18 14:31; CMOS工艺在0.35um以上器件隔离都是用thick field oxide,但到了0.25um以下用Shallow Trench Isolation(STI)来做隔离，请问STI具体是什么材料及它的工艺步骤？会用到那层光照（我认为还是有源区的光照）？与thick field oxide相比，STI隔离有何优点，在设计中特别是layout中可有啥要注意的？ STI 之 ...; 8707 次阅读|0 个评论热度 1

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