功率MOSFET管
自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如
高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ；工作频率
范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善；并开发出各种贴片式功率MOSFET(如
SILIConix最近开发的厚度为1.5mm“Little Foot系列)。另外，价格也不断降低，使应用越来越广泛，不少地方取代双极型晶体管。
　“MOSFET”是英文MetalOxide SemICoductor Field Effect Transistor的缩写，译成
中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。
功率MOSFET的特点
　　功率MOSFET与双极型功率相比具有如下特点：
　　1．MOSFET是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件)，因此在驱动大电流时无需推
动级，电路较简单；
　　2．输入阻抗高，可达108Ω以上；
　　3．工作频率范围宽，开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小；
　　4．有较优良的线性区，并且MOSFET的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的
交流输入阻抗极高；噪声也小，最合适制作HI-FI音响；
　　5．功率MOSFET可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流电阻。

2SK2094
2SK2103/KA
2SK2463
2SK2731
2SK3018
2SK3019
2SK3065
RDS035L03
RHP020N06
RHP030N03
RHU002N06
RHU003N03
RJP020N06
RJU002N06
RJU002N06 T106
RJU003N03
RK7002
RR255M-400
RR263M-400
RR264M-400
RR264M-400TR
RSA6.1ENTR/E61
RSB12JS2
RSB6.8G
RSD376
RSE6.8XN TR
RSM002P03 T2L
RSM002P03FS
RSR025N03
RSS090P03TB
RSX101M-30
RSX101VA-30
RSZ5226B
RSZ5228BT116
RTL030P02
RTL035N03
RTQ025P02
RTQ030P02
RTQ035P02
RTR020P02/TX
RTR025P02
RTR030P02

RTL030P02TR 
制造商:  ROHM Semiconductor   
 
产品种类:  MOSFET Small Signal   
 
RoHS:   详细信息  
 
晶体管极性:  P-Channel   
 
封装 / 箱体:  TUMT3   
 
电阻汲极/源极 RDS（导通）:  0.9 Ohms   
 
汲极/源极击穿电压:  - 20 V   
 
漏极连续电流:  +/- 3 A   
 
功率耗散:  1 W   
 
封装:  Reel