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分享 2024-03-29: 2024-3-29 15:55; SRAM存内计算学习存储单元 6T SRAM：读写保持操作写：设存储单元初始数据为“1”，写入数据为“0”。首先根据外部输入的写入地址找到需要写入数据“0”的存储单元位置，将需要写入的数据传导到位线上。BL被置为“0”，BLB被置为“1”。字线wL置为高电平，将传输管NTl和NT2开启，内部存储节点与位线发生数据 ...; 346 次阅读|0 个评论热度 1

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