在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
分享 2024-03-29
LHhhhh 2024-3-29 15:55
SRAM存内计算学习 存储单元 6T SRAM:读写保持操作 写:设存储单元初始数据为“1”,写入 数据为“0”。首先根据外部输入的写入地址找到需要写入数据“0”的存储单元 位置,将需要写入的数据传导到位线上。BL被置为“0”,BLB被置为“1”。字 线wL置为高电平,将传输管NTl和NT2开启,内部存储节点与位线发生数据 ...
280 次阅读|0 个评论 热度 1
关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-4-27 14:58 , Processed in 0.008165 second(s), 4 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
返回顶部