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zhangyp 2023-9-16 21:39
你好,我这边设计的一个版图正好出现了ESD的问题,我是做的一个OUTPUT的PAD,这个PAD只有NMOS,没有PMOS接输出;这里的输出NMOS的GATE我都接在一起,我确定很良好的接在一起了,就是GATE一出来我就用一铝还是比较宽的一铝给连起来了,然后接内部电路的输出;而且因为这个是功率管输出,所以我只敢拉大D和G的间距,不敢在上面加SAB, 担心SAB电阻过大,影响输出效果;但是现在产品做出来了,只能有HBM大约不到250V的耐压,太差了,然后打坏的地方我们照了下,发现是功率管的中间管子的一部分给击穿短路了;这个短路还引起我的Source端的孔都烧糊了;我没有拉大S和G的间距,但是不清楚为什么会烧这个电阻小的地方,那个拉宽的D-G似乎没问题;现在的问题是如何让这个大MOS能同时打开呢,现在问题是我虽然gate用1铝很好的连再一起了,但是似乎还只是中间两个管子导通,旁边的管子似乎都在那边围观,不做救援,但是这个GATE是接内部的电路,我没法去修改他,或者难道我该故意躲绕点线,需要刻意这么做吗?另外我的问题是这次我的失效为什么是source端,因为看大家都是在讨论加长拉宽Drain端,可是我的这个失效是source端,我加sab在drain还有效果吗?
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