EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) 返回首页

lhxl的个人空间 https://blog.eetop.cn/tonyl [收藏] [复制] [分享] [RSS]

空间首页动态记录日志相册主题分享留言板个人资料

日志

关于沟长调制效应近似为电阻的自我理解

已有 737 次阅读| 2021-7-1 17:50 |个人分类:问题记录|系统分类:芯片设计

在没有考虑二级效应的小信号模型中，MOS管我们视为压控电流源，此时源漏电阻也是一并被包含在电流源内阻的；当考虑沟长调制时，通过计算发现沟长调制带来的影响可以表现为电阻特性，因此将这一部分，从电流源中分离出来，以电阻的形式独立出来。这是之前，一直困惑的地方，现在看起来这样解释似乎行的通，有大神有其他见解吗？可以分享一下吗？谢谢（还在爬的模集渣渣。。。）

收藏分享邀请举报

全部作者的其他最新日志

• 关于成长自感

评论 (0 个评论)

lhxl

0
周排名
0
月排名
0
总排名
0
关注
0
粉丝
2
好友
0
获赞
0
评论
7
访问数

关闭

站长推荐 /1

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-4-28 21:10 , Processed in 0.018433 second(s), 15 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号

创芯大讲堂

创芯人才网

返回顶部