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2023-10-08

热度 2已有 617 次阅读| 2023-10-8 15:15 |系统分类:芯片设计

MOM也就是finger 电容，即利用同层metal边沿之间的C，为了省面积，可以多层metal叠加；
MIM是利用上下两层metal之间的C，即极板电容，下极板为Mn，上极板为Mn+1，因为普通的Mn和Mn+1在三维空间隔着氧化层离得比较远，所以C并不大。MIM会引入一层光罩（MCT之类），这一层做在Mn上面，Mn+1下面，用Vian与Mn+1相连，所以实际上是Mn与MCt之间的C，极板间距缩小，C变大。

1，poly电阻一般既可以出现在P阱（或P-Sub）上，也可以出现在N阱上，在P阱（P-sub）上就用地环，在N阱上就用电源环，是为了增加阱接触，减小阱电阻，二端Poly电阻本身并不需要他们。
2，电路设计上，如果需要细致考虑电阻所受到的影响，那么就需要注意电阻所处的位置，因为电阻上有电位，与其下的阱之间有电位差，地或电源带来的不同电位会通过Poly和阱之间的寄生电容影响到电阻。这种情况在高压设计中更可能需要考虑。所以有的电阻在PDK中直接以三端器件甚至四端、五端的形式出现。