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K SRAM lib库：pin的internal power

已有 193 次阅读| 2024-3-15 21:08 |个人分类:SRAM|系统分类:芯片设计

siliconsmart K SRAM 的Q pin的internal power 等于在整个power measure period（T_start~T_end读周期：确保只有clk和Q pin发生翻转）内对流过VDD的电流进行积分后乘以VDD电压值，然后减去这个测量周期内的leakage power（读周期内对后10% power measure period(T_90%~T_end）流过VDD的电流进行积分后乘以VDD电压值再乘以10），再减去CLK pin的internal power（也是读周期但是Q不翻转，对流过VDD的电流进行积分后乘以VDD电压值，然后减去这个测量周期内的leakage 功耗），最后除以翻转Q pin的数量—N,就得到了每个Q pin的internal power 值。