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- 分享 静态随机存储器SRAM存储数据原理
- RAM主要的作用就是存储代码和数据供中央处理器在需要的时候进行调用。对于RAM等存储器来说仍是一样的，虽然存储的都是代表0和1的代码，但是不同的组合就是不同的数据。对于RAM存储器而言数据总线是用来传入数据或者传出数据的。因为存储器中的存储空间是如果前面提到的存放图书的书架一样通过一定的规则定义的，我们可以通 ...
- 分享 STT-MRAM万能存储器芯片
- 传统存储器的技术局限以及不断缩小的制造尺寸所带来的巨大挑战促使科研人员开始寻找新一代存储器件，它应具有接近静态存储器的纳秒级读写速度，具有动态存储器甚至闪存级别的集成密度和类似Flash的非易失性存储特性。 “万能存储器”概念作为新一代存储器的要求被提出来。自旋转移矩—磁随机存储器器件（Spin T ...
- 分享 everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力
- everspin 提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）接口，但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样，时序上的差异使得其难以成为DRAM（动态随机存取器）的直接替代品。 最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRAM的吸引力，但Everspin仍需努力追赶DRAM的存储密度。 低容量的特性，使得MRAM组件更适用于嵌入式系统，其中SoC和ASIC ...
- 分享 外部SRAM的种类
- 外部SRAM注意事项div为使外部SRAM器件达到出最佳性能，建议遵循以下原则：/divdiv使用与连接的主系统控制器的接口数据带宽相同的SRAM。/divdiv如果管脚使用或板上空间的限制高于系统性能要求，可以使用较连接的控制器的数据带宽小一些的SRAM设备，以便减少管脚数量并减少PCB板上可能的存储器数量。然而这种变化将 ...
- 分享 Eversipn STT-MRAM的MJT细胞
- 业界一直在寻求取代SRAM。其中之一包括自旋转移力矩MRAM（STT-MRAM）。新的存储器带来了一些大胆的主张。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和闪存的无波动性，具有无限的耐用性。 图1.STT-MRAM的MJT细胞 Everspin已经为SSD提供SST-MRAM设备。此外一些芯片制造商正专注于嵌入式 STT-MRAM ，它分为两个 ...
- 分享 三星正在改善1Gb MRAM寿命问题
- 据报道三星已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器（eFlash）的嵌入式磁阻随机访问内存（eMRAM），容量为1Gb，测试芯片的优良率已达90%。 随着5G物联网时代的来临，存储器领域发展快速，而在这一领域，韩系厂商拥有着比较明显的优势。 MRAM 芯片是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性，可以兼做内 ...
- 分享 Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南
- 自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（ STT-MRAM ）是一种持久性存储技术，可利用各种工业标准接口提供性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM产品，该产品利用称为JE-DDR4的JEDEC标准DDR4接口的变体，它包含了对完整系统支持所需的独特功能。本文将帮助工程师了解Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南 & ...
- 分享 Everspin串口串行mram演示软件分析
- divEverspin在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。包括40nm，28nm及更高工艺在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。生产基于180nm，130nm和90nm工艺技术 ...
- 分享 MRAM技术进入汽车应用
- 在整个地址空间范围内读写各种类型的数据。通常MRAM的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。与DLFASH相比，当今的非易失性存储器可以接受MRAM设备的性能和吞吐量。 与当今的DFLASH相比，未来的汽车动力总成控制器可能需要更快，更加强大的非易失性和保活内存。在非易失性存储器中使用MRAM可以显着提高时 ...
- 分享 stm32f103vct6外扩sram芯片
- STM32F103是一款高性价比、多功能的单片机，配备常用的32位单片机片外资源，基于ARM Cortex-M3的32位处理器芯片，片内具有256KB FLASH，48KB RAM ( 片上集成12Bit A/D、D/A、PWM、CAN、USB、SDIO、FSMC等资源)。是应用的较为广泛的一款单片机， 内置48KB RAM在产品设计过程中如需要外扩 SRAM 存储器，采用一款由VTI科技 ...
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