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日志

灵动微MCU| 意法半导体MCU| everspin非易失性MRAN| flash| SRAM| RAM| FRAM| 传感器| 蓝牙芯片| SDRAM| MCU| PMIC| 蓝牙透传模块| 语音芯片| MRAM|

分享嵌入式MRAM关键应用与制造商: ramsun 2020-3-20 16:19; STT-MRAM越来越多地被广泛用于嵌入式内存应用之中，STT-MRAM 具有的高存储密度、低能耗、低误率等优势使其有着巨大的优势。以取代闪存、EEPROM和SRAM，有多家逻辑组件IDM /晶圆代工厂正在提供嵌入式STT-MRAM解决方案：其中还包括台积电(TSMC，22nm ULL CMOS)、三星(Samsung，28nm FD-SOI)、GLOBALFOUNDRIES (22nm FD-SOI) ...; 个人分类: everspin非易失性MRAN|980 次阅读|0 个评论

分享 MRAM与FRAM技术比较: ramsun 2020-3-10 15:31; MRAM技术 MRAM或磁性随机存取存储器使用1晶体管–1磁性隧道结（1T-1MTJ）架构，其中铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元素。由于MRAM使用磁性状态进行存储（而不是随时间推移而“泄漏”的电荷），因此 MRAM 可以提供非常长的数据保留时间（+20年）和无限的耐用性。切换磁极化（WriteCycle）是在电磁隧道结（MT ...; 个人分类: everspin非易失性MRAN|1222 次阅读|0 个评论

分享小米入股灵动微电子加速芯片领域布局: ramsun 2020-3-6 16:02; 近日天眼查数据显示，上海灵动微电子股份有限公司的工商发生了变更，注册资本由原来的4728万人民币，新增至人民币5668万，增幅接近20%。新增董事为王晓波。公开资料显示王晓波是小米产业基金管理合伙人。这次的主角为何会是灵动微电子？灵动微电子成立于公元2011年，作为一家立足本土、展望世界的MCU芯片 ...; 个人分类: everspin非易失性MRAN|617 次阅读|0 个评论

分享 STT-MRAM万能存储器芯片: ramsun 2020-2-20 15:47; 传统存储器的技术局限以及不断缩小的制造尺寸所带来的巨大挑战促使科研人员开始寻找新一代存储器件，它应具有接近静态存储器的纳秒级读写速度，具有动态存储器甚至闪存级别的集成密度和类似Flash的非易失性存储特性。 “万能存储器”概念作为新一代存储器的要求被提出来。自旋转移矩—磁随机存储器器件（Spin T ...; 个人分类: everspin非易失性MRAN|930 次阅读|0 个评论

分享 everspin最新1Gb容量扩大MRAM吸引力: ramsun 2020-2-19 15:01; everspin 提供了8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）接口，但与较旧的基于DDR3的MRAM组件一样，时序上的差异使得其难以成为DRAM（动态随机存取器）的直接替代品。最新的1Gb容量STT-MRAM扩大了MRAM的吸引力，但Everspin仍需努力追赶DRAM的存储密度。低容量的特性，使得MRAM组件更适用于嵌入式系统，其中SoC和ASIC ...; 个人分类: everspin非易失性MRAN|612 次阅读|0 个评论

分享 Eversipn STT-MRAM的MJT细胞: ramsun 2020-2-4 14:28; 业界一直在寻求取代SRAM。其中之一包括自旋转移力矩MRAM（STT-MRAM）。新的存储器带来了一些大胆的主张。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和闪存的无波动性，具有无限的耐用性。图1.STT-MRAM的MJT细胞 Everspin已经为SSD提供SST-MRAM设备。此外一些芯片制造商正专注于嵌入式 STT-MRAM ，它分为两个 ...; 个人分类: everspin非易失性MRAN|995 次阅读|0 个评论

分享三星正在改善1Gb MRAM寿命问题: ramsun 2020-1-21 16:09; 据报道三星已经成功研发出有望替代嵌入式闪存存储器（eFlash）的嵌入式磁阻随机访问内存（eMRAM），容量为1Gb，测试芯片的优良率已达90%。随着5G物联网时代的来临，存储器领域发展快速，而在这一领域，韩系厂商拥有着比较明显的优势。 MRAM 芯片是一种以电阻为存储方式结合非易失性及随机访问两种特性，可以兼做内 ...; 个人分类: everspin非易失性MRAN|768 次阅读|0 个评论

分享 Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南: ramsun 2020-1-21 16:04; 自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（ STT-MRAM ）是一种持久性存储技术，可利用各种工业标准接口提供性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM产品，该产品利用称为JE-DDR4的JEDEC标准DDR4接口的变体，它包含了对完整系统支持所需的独特功能。本文将帮助工程师了解Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南 & ...; 个人分类: everspin非易失性MRAN|1054 次阅读|0 个评论

分享 Everspin串口串行mram演示软件分析: ramsun 2020-1-19 16:10; divEverspin在磁存储器设计，制造和交付给相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。包括40nm，28nm及更高工艺在内的先进技术节点上进行了全包交钥匙的300mm大批量平面内和垂直MTJ ST-MRAM生产。生产基于180nm，130nm和90nm工艺技术 ...; 个人分类: everspin非易失性MRAN|720 次阅读|0 个评论

分享 MRAM技术进入汽车应用: ramsun 2020-1-14 12:00; 在整个地址空间范围内读写各种类型的数据。通常MRAM的操作和时序类似于32位微控制器的规范和时序。与DLFASH相比，当今的非易失性存储器可以接受MRAM设备的性能和吞吐量。与当今的DFLASH相比，未来的汽车动力总成控制器可能需要更快，更加强大的非易失性和保活内存。在非易失性存储器中使用MRAM可以显着提高时 ...; 个人分类: everspin非易失性MRAN|636 次阅读|0 个评论

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