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256Mb自旋转移扭矩MRAM-EMD3D256M DDR3

已有 827 次阅读| 2022-9-27 15:07 |个人分类:everspin非易失性MRAN|系统分类:硬件设计| MRAM, EMD3D256M, DDR3

EMD3D256M DDR3自旋转移扭矩MRAM是一种容量为256Mb（32Mb x 8、16Mb x 16）DDR3的非易失性存储器，可在DDR3速度下提供非易失性和高耐用性。能够以高达 1333MT/Sec/Pin的速率进行DDR3操作。符合所有DDR3 DRAM功能，包括设备端接 (ODT) 和内部ZQ校准，但具有数据持久性和极高的写入周期耐久性的优势。采用Spin-Torque MRAM 技术，无需单元刷新，极大地简化了系统设计并降低了开销。

Everspin自旋转移扭矩MRAM所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步，输入锁存在时钟交叉点。I/O与一对双向选通脉冲（DQS、DQS）同步。采用 RAS/CAS 多路复用方案，工作电压为 1.5V。更多产品详情请洽英尚国际。

DDR3 STT-MRAM是一种高速自旋扭矩磁阻随机存取存储器。每当设备因任何原因断电时，关闭/预充电银行中的所有数据都会保留在内存中。在某些情况下，命令时间会有所不同。DDR3 标准适用于高于256Mb的密度，从而导致寻址和页面大小不同。