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富士通FRAM三大优势直击热门应用领域

已有 681 次阅读| 2021-6-4 15:59 |个人分类:FRAM|系统分类:硬件设计| 富士通FRAM, FRAM, 富士通

存储设备(主要指存储数据的半导体产品)通常分为两种类型。一种是“易失性存储器”——数据在断电时消失,如DRAM。另一种类型则是“非易失性存储器”——数据在断电时不会消失,这意味着数据一旦被写入,只要不进行擦除或重写,数据就不会改变。FRAM是一种与Flash相同的非易失性存储器。
 
经过市场的长期广泛验证以及技术的不断突破,富士通FRAM产品已成功应用于智能卡及IC卡等卡片领域、电力仪表及产业设备等工业领域,医疗设备及医疗RFID标签等医疗领域、胎压监测及新能源汽车电池管理系统等汽车领域等等,涉及的应用超过200种,几乎覆盖所有主要领域!
 

 
当前的富士通FRAM主要具备三大优势:高读写入耐久性、高速写入以及低功耗,这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。比如FRAM写入次数寿命高达10万亿次,而EEPROM仅有百万次(10^6)。富士通FRAM写入数据可在150ns内完成,速度约为EEPROM的1/30,000。写入一个字节数据的功耗仅为150nJ,约为EEPROM的1/400,在电池供电应用中具有巨大的优势。
 

 
相比EEPROM或SRAM
 
FRAM方案可以轻松解决以下问题:
1)需要更频繁地记录数据,但受限于内存规格
2)在写入数据时需要保护数据,以防止突然停电
3)需要采用无电池解决方案


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