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分享 Microchip微芯Serial SRAM芯片23LC1024规格资料
ramsun 2022-6-23 17:38
Microchip微芯23LC1024是一款容量为1Mbit串行Serial SRAM 器件。存储器通过简单的串行外设接口(SPI)兼容串行总线访问。所需的总线信号是时钟输入、数据输入线和数据输出线。通过芯片选择输入控制对器件的访问。如果应用需要更快的数据速率,还支持SDI(串行双接口)和SQI(串行四接口)。还支持对存储器阵列的无限制读 ...
个人分类: SRAM|39 次阅读|0 个评论
分享 Microchip微芯256Kbit串行SPI SRAM芯片23K256
ramsun 2022-5-30 17:16
串行 SRAM 是一种独立的易失性存储器,它提供了一种简单且便宜的方式来为您的应用程序添加更多RAM。这些8引脚低功耗、高性能SRAM器件具有无限的耐用性和零写入时间,使其成为涉及连续数据传输、缓冲、数据记录、音频、视频、互联网、图形和其他数学和数据密集型应用的理想选择职能。并支持SPI、SDI和SQI™总线模式。 ...
个人分类: SRAM|55 次阅读|0 个评论
分享 国产SPI SRAM芯片512Kbit EMI7512NTMI可替换IS62WVS0648FBLL-20NLI
ramsun 2022-5-30 17:14
ISSI IS62WVS0648FBLL-20NLI是一款容量为512Kbit的SPI SRAM,位宽8*64K字节。20MHz时钟频率,工业温度范围(I):-40℃至+85℃,汽车温度范围:-40℃至+125℃,它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。该器件通过简单的串行外设接口(SPI)兼容串行总线进行访问。如果您的应用需要更快的数据速率,还支持SDI(串行双接口)和SQI ...
个人分类: SRAM|76 次阅读|0 个评论
分享 伟凌创芯Serial SRAM芯片SCLPSRAC1可替换兼容23LC512
ramsun 2022-5-30 17:05
Microchip Technology Inc型号23LC512是一款512Kbit串行SRAM,当今许多流行的微控制器系列的串行外设接口(SPI)端口直接连接,它还可以通过使用在固件中正确编程以匹配SPI协议的离散I/O线与没有内置SPI端口的微控制器连接。还能够在SDI/SQI高速SPI模式下工作。采用8-TSSOP标准封装。 国产SRAM芯片厂家伟凌创芯SCLP ...
个人分类: SRAM|58 次阅读|0 个评论
分享 正品渠道SRAM型号ISSI总代理IS61WV51216EBLL
ramsun 2022-4-28 17:12
ISSI主要产品是高速低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。为汽车、通信、数字消费、以及工业和医疗等主要市场设计开发和销售高性能集成电路的技术翘楚。 IS61WV51216 SRAM芯片是一个8M容量,组织结构为512K*16的高速率低功耗静态随机存储器。IS62WV51216高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准 ...
个人分类: SRAM|132 次阅读|0 个评论
分享 4Mb快速异步SRAM厂家EMI504WF16VA替换兼容 IS61WV25616BLL
ramsun 2022-3-18 15:12
ISSI IS61WV25616BLL是一款采用ISSI的高性能CMOS技术制造的高速4Mb快速异步 SRAM 芯片,按16位262,144个字组织。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合,可生产出高性能和低功耗的器件。通过使用芯片使能和输出使能输入、可轻松扩展内存。低电平有效写使能 控制存储器的写入和读取。 数据字节允许访问高字节和 ...
个人分类: SRAM|184 次阅读|0 个评论
分享 国产SRAM厂家伟凌创芯
ramsun 2022-2-15 16:30
物联网及穿戴设备还未出世前, Serial SRAM 不能吸引主流到SRAM厂商的关注。随着串行SRAM的商机不断增多,传统的SRAM厂商进军串行SRAM领域的逐渐增多。容量和带宽将是两大推动力。 大吞吐量、小巧的串行接口SRAM芯片带来了无限的可能性。它最终有可能成为众多电路板上当代嵌入式SRAM和并行SRAM的继承者。 ...
个人分类: SRAM|279 次阅读|0 个评论
分享 EMI508NL16VM-55I完美替换IS62WV51216EBLL-45TLI片外sram 8M
ramsun 2022-1-26 15:42
IS62WV51216EBLL-45TLI SRAM芯片是一个8M容量,组织结构为512K*16的高速率低功耗静态随机存储器。采用高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准再加创新的电路设计技术,造就了这款高性能,低功耗的器件。使用IS62WV51216的片选引脚和输出使能引脚,可以简单实现存储器扩展。IS62WV51216EBLL-45TLI采用 JEDEC 标准4 ...
个人分类: SRAM|302 次阅读|0 个评论
分享 国产存储16Mbit异步快速SRAM芯片EMI516NF16LM-10I
ramsun 2022-1-10 16:29
快速异步型SRAM,存取时间为35ns(或更短)的异步型 SRAM 可被归类为“快速”异步型SRAM。 国产SRAM芯片 EMI516NF16LM-10I是容量16Mbit异步快速随机静态存储器,位宽8*1M字位。该器件采用先进的CMOS工艺和基于6-TR的单元技术制造,专为高速电路技术而设计。它特别适用于高密度高速系统应用。 EM ...
个人分类: SRAM|457 次阅读|0 个评论
分享 伟凌创芯4Mbit异步快速SRAM芯片EMI504WF16VA-10I
ramsun 2021-12-21 17:17
快速异步型SRAM,存取时间为35ns(或更短)的异步型SRAM可被归类为“快速”异步型 SRAM 。这些存储器通常应用于老式系统中,且功耗较高。其典型应用包括老式PC L2高速缓冲存储器、高速暂存器以及工业应用中的缓冲存储器。 伟凌创芯4Mbit异步快速SRAM芯片 EMI504WF16VA-10I 是4Mbit异步快速SRAM芯片,位宽 ...
个人分类: SRAM|449 次阅读|0 个评论
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