日志
SOI 工艺和Bulk-Si 工艺
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这两种工艺，Bulk-Si工艺就是平时用的，体硅工艺，P型衬底，NMOS直接做，PMOS要先挖N阱; 要注意latch-up问题。
SOI (Silicon On Insolutor)，绝缘体上硅，Si衬底上铺一层SiO2绝缘层，MOS是做在SiO2上的，PMOS也不用挖阱，也没有latch-up问题。
SOI工艺目前没有用过。
具体更多细节：请参考链接：SOI CMOS结构和工艺，「芯视野」RF-SOI：毫米波时代射频前端的终极答案？
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这两种工艺，Bulk-Si工艺就是平时用的，体硅工艺，P型衬底，NMOS直接做，PMOS要先挖N阱; 要注意latch-up问题。
SOI (Silicon On Insolutor)，绝缘体上硅，Si衬底上铺一层SiO2绝缘层，MOS是做在SiO2上的，PMOS也不用挖阱，也没有latch-up问题。
SOI工艺目前没有用过。
具体更多细节：请参考链接：SOI CMOS结构和工艺，「芯视野」RF-SOI：毫米波时代射频前端的终极答案？
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