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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) › 日志

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最新发表的日志| 推荐阅读的日志 | 芯片设计 | 硬件设计 | 嵌入式 | 人工智能 | 生活杂谈 | 其他

分享 PCB单面板或双面板的制作，钻孔之间的间距如何影响成品？: lp610981313 2022-10-21 11:30; PCB单面板或双面板的制作都是在下料之后直接进行非导通孔或导通孔的钻孔,多层板则是在完成压板之后才去钻孔。钻孔的区分以功能的不同尚可分为零件孔、工具孔、通孔(Via)、盲孔(Blind hole)、埋孔(Buried hole)(盲、埋孔为via hole的一种)。常规的钻孔，是通过钻孔机械加工出来的。在实际加工中钻孔之间的间距通常会影响钻 ...; 505 次阅读|0 个评论

分享不改平面不加层，微调走线抬电平: edadoc2013 2022-10-20 14:18; 作者：一博科技高速先生成员姜杰设计组有个小伙子叫小博，入职刚满一年，今天收到了公司发来的暖心邮件。他却高兴不起来，因为昨晚收到了一封电源仿真结果的邮件：自己独立接手的第一个设计任务，到了投板的节骨眼，直流压降有问题。正可谓：曾因压降夜难寐，犹为阻抗困愁城。世间无限丹青手 ...; 498 次阅读|0 个评论

分享 hspice 常用文档: tjhemiao 2022-10-18 19:35; hspice_sa.pdf eetop.cn_hspice_si.pdf; 464 次阅读|0 个评论

分享 “代入公差，根据生产实际值，确定最终设计值”具体怎么做？本文告诉你 ...: lp610981313 2022-10-14 17:42; 双列直插封装（dual in-line package）也称为DIP封装或DIP包装，简称为DIP或DIL，是一种集成电路的封装方式。 DIP插件工艺是在SMT贴片工艺之后，是PCBA工艺中的一部分，DIP插件是指不能被机器贴装的大尺寸元器件，而需经过手工插件，之后再通过波峰焊进行焊接，最终产品成型。 DIP插件工艺大致可分为插 ...; 634 次阅读|0 个评论

分享华秋DFM新功能全网上线，助力PCBA可焊性分析: lp610981313 2022-10-14 15:07; 在PCBA制造与组装的过程中，硬件工程师可能会经常遇到这样的问题：做好了PCB设计打板确有问题，PCBA加工时采购的元器件与实际不匹配，产品生产周期长，品质无法保证…… 那么如何才能在生产前发现并解决这些制造隐患呢，了解过我们的朋友可能都知道，我们自研了一款可制造分析软件——华秋DFM。此前，我们也介绍了不少关 ...; 529 次阅读|0 个评论

分享从单WiFi到WiFi+BLE+X，安信可助力产品迈入IoT大连接时代: BAT430597 2022-10-12 18:04; 0 1 如何定义“大连接”？什么是“大连接 ” ？ “大连接 ” ，即多种无线连接技术进行融合，解决产品的连接痛点。为什么要实现“大连接 ” ？当前正处于单点连接向多点连接迈进的新发展阶段。这一阶段的无线应用面临着碎片化、无法互联互通、人机交互 ...; 601 次阅读|0 个评论

分享华秋联合凡亿发布《PCB封装设计指导白皮书》，限时免费领取 ...: lp610981313 2022-9-30 15:19; 近日，深圳华秋电子有限公司联合深圳市凡亿电路科技有限公司发布了《PCB封装设计指导白皮书》（以下简称“白皮书”），我国是PCB制造大国，当前产业对高技术含量PCB产品需求上升，对PCB制造数字化要求上升。制定一套标准化的PCB封装设计指导有利于推进PCB行业发展，保证电路板设计可靠性。该白皮书共同探讨电子元器件的P ...; 785 次阅读|0 个评论

分享关于DDR4的绕等长，您想知道的这本书上都有: edadoc2013 2022-9-28 11:06; 作者：一博科技高速先生成员肖勇超对于DDR4的设计，相信攻城狮们经历过万千项目的历练，肯定是很得心应手，应该已经有自己的独门技巧了。比如选择合适的拓扑结构，信号同组同层，容性负载补偿，加上拉电阻等等。但是对于时序方面的控制，理论上只有一个办法——绕等长，速率越高的DDR4，等长控制越严格，从±100 ...; 863 次阅读|0 个评论

分享静态存储器SRAM介绍: ramsun 2022-9-27 15:19; SRAM是采用CMOS工艺的内存。自CMOS发展早期以来，SRAM一直是开发和转移到任何新式CMOS工艺制造的技术驱动力。 SRAM 它实际上是一个非常重要的存储器，用途非常广泛。SRAM数据完整性可以在快速读取和刷新时保持。SRAM以双稳态电路的形式存储数据。SRAM目前的电路结构非常复杂。SRAM大部分只用于CPU内部一级缓 ...; 937 次阅读|0 个评论

分享 256Mb自旋转移扭矩MRAM-EMD3D256M DDR3: ramsun 2022-9-27 15:07; EMD3D256M DDR3自旋转移扭矩MRAM是一种容量为256Mb（32Mb x 8、16Mb x 16）DDR3的非易失性存储器，可在DDR3速度下提供非易失性和高耐用性。能够以高达 1333MT/Sec/Pin的速率进行DDR3操作。符合所有DDR3 DRAM功能，包括设备端接 (ODT) 和内部ZQ校准，但具有数据持久性和极高的写入周期耐久性的优势。采用Spin-Torqu ...; 826 次阅读|0 个评论

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