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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) › 日志

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最新发表的日志| 推荐阅读的日志 | 芯片设计 | 硬件设计 | 嵌入式 | 人工智能 | 生活杂谈 | 其他

分享 600V 功率级 CoolGaN(IGI60F100A1LAUMA1)晶体管IGI60F100A1L: mjd888 2022-8-24 10:37; IGI60F100A1L 将单个 100 mΩ（典型值）600V 增强模式 CoolGaN 开关与专用栅极驱动器相结合，采用耐热增强型 8 x 8 mm QFN-21 封装。由于输入和输出之间的电流功能隔离，功率级可以覆盖广泛的应用和拓扑。深圳市明佳达电子(供应、回收)600V 功率级 CoolGaN晶体管(IGI60F100A1LAUMA1) IGI60F100A1L。参数：IGI60F ...; 292 次阅读|0 个评论

分享你别不信，几个MIL的误差就导致高速传输有误码啦！: edadoc2013 2022-8-23 15:57; 作者：一博科技高速先生成员黄刚 1mm等于39.37mil，1cm等于10mm，成语故事中的毫厘在生活中的确是一个很小的单位，但是在我们SI的领域里，已经是一个很大的衡量单位了。我们不会说这根走线的线宽是多少厘米，也不会说这块PCB板的板厚是多少厘米。尤其对于高速信号而言，一个眼图的UI都是以ps为单位的，也就是以mi ...; 292 次阅读|0 个评论

分享收藏: zzyyccyy 2022-8-23 15:11; 集成电路掩模设计（基础版图技术） https://bbs.eetop.cn/thread-127447-1-1.html (出处: EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)); 247 次阅读|0 个评论

分享 AEAD密码算法的吞吐率: karyen 2022-8-22 11:29; 吞吐率=(plaintext bits + AD bits ）/（cycles * period）; 256 次阅读|0 个评论

分享浅谈ESD防护——GCNMOS: u12u34 2022-8-22 09:25; NMOS主要有两种ESD防护应用：一种是之前讲的GGNMOS，另一种是GCNMOS（Gate Coupling NMOS）。现阶段也已经出现了（Bulk Coupling NMOS），接下来这两种ESD防护器件都会进行讲解。 GCNMOS的工作原理与GGNMOS不同，GGNMOS是利用体寄生三极管的开启进行ESD静电流的泄放通路，而GCNMOS则利用了NMOS器件的沟道作为泄放 ...; 6606 次阅读|3 个评论热度 26

分享浅谈ESD防护设计——LDMOS的ESD防护: u12u34 2022-8-22 09:12; 这期聊一下LDMOS在ESD设计中的应用。LDMOS属于功率半导体器件，主要应用于高压场合。而针对高压芯片的ESD防护领域，可采取GGNLDMOS的设计思路。在讲解LDMOS的ESD防护机理之前，先要简单解释下LDMOS的工作原理。图一.nLDMOS结构示意图。 N-LDMOS为了提高器件的耐压性能，在器件内部制作了n-drift区 ...; 8474 次阅读|1 个评论热度 19

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