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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) › 日志

日志

最新发表的日志| 推荐阅读的日志 | 芯片设计 | 硬件设计 | 嵌入式 | 人工智能 | 生活杂谈 | 其他

分享可控硅结构静电防护器件的防闩锁工程: 涛意隆 2024-6-22 15:33; 导语：维持电压低易闩锁是高性能可控硅 SCR(Silicon Controlled Rectifier) 结构静电防护器件设计时需要克服的缺点。本文介绍三类避免 SCR 静电防护器件在 CMOS 集成电路芯片正常工作时被噪声偶然触发进入闩锁状态的方法，其实质均是使器件的 IV 曲线远离芯片闩锁区域。正文： ...; 18 次阅读|0 个评论

分享低触发电压可控硅结构静电防护器件: 涛意隆 2024-6-22 15:31; 导语：可控硅 SCR(Silicon Controlled Rectifier) 结构静电防护器件由于其自身的正反馈机制，具有单位面积泄放电流高、导通电阻小、鲁棒性强、防护级别高的优点，但同时它还引入了触发电压高响应速度慢、维持电压低易闩锁的缺点。本文介绍可控硅结构静电防护器件降低触发电压提高开启速度的方法。 ...; 18 次阅读|0 个评论

分享多叉指MOSFET器件静电防护鲁棒性提升技巧: 涛意隆 2024-6-22 14:21; 导语：栅极接地 NMOS 是一种广泛应用的片上 ESD 器件结构，为达到特定 ESD 防护等级，一般会采用多叉指版图形式来减小器件占用的芯片面积。但是，多叉指栅极接地 NMOS 在 ESD 应力作用下，各个叉指难于做到均匀开启，无法达到预期 ESD 防护等级。本文从版图、器件结构、触发技术等角度介绍一些 ...; 19 次阅读|0 个评论

分享片上集成TVS器件保护总线接口芯片: 涛意隆 2024-6-22 13:56; 导语：物联网组网将使得数据通信量骤增，而室外组网的高严苛和高噪声环境对数据传输的可靠性提出了更高的要求。因静电而造成的瞬态过压将影响数据传输的正确性，甚至损坏总线数据收发芯片。本文以 RS485 总线接口芯片为例，讲述内置 TVS 器件保护总线接口芯片方法。正文： 2008 年金融危机 ...; 17 次阅读|0 个评论

分享静电测试模型与标准: 涛意隆 2024-6-22 13:53; 导语：电子产品的静电失效来源于生产、装配、封装、运输、组装和测试各个环节。为了模拟电子产品在不同环境中的不同放电方式，以期完整地评估电子产品对静电放电的敏感度，国内外各大组织机构已构建了相应的静电放电模式和测试标准。正文：因静电放电产生原因和对集成电路等电子产品破坏方式的不同， ...; 20 次阅读|0 个评论

分享全芯片ESD防护网络: 涛意隆 2024-6-22 13:47; 导语：据统计，静电放电（ Electro-Static Discharge, ESD ）造成的芯片失效占到集成电路产品失效总数的 38% 。完好的全芯片 ESD 防护设计，一方面取决于满足 ESD 设计窗口要求的优质 ESD 器件结构，另一方面全芯片 ESD 防护网络的考量也格外重要。正文：静电放电造成的 ...; 22 次阅读|0 个评论

分享 TVS二极管的选取: 涛意隆 2024-6-22 13:44; 导语：瞬态电压抑制器在承受瞬间高能量脉冲时，能在极短的内由原来的高阻抗状态变为低阻抗，并把电压箝制到特定的水平，从而有效地保护用户的设备和元器件不受损坏，可应用于家用电器、电子仪器、精密设备、计算机系统、通讯设备、 RS232485 及 CAN 等通讯端口、 ISDN 的保护等各个领域。不同的应用应选取 ...; 24 次阅读|0 个评论

分享什么是TVS二极管: 涛意隆 2024-6-22 13:37; 导语：雷击浪涌和电气过压组件有气体放电管、陶瓷放电管、压敏电阻、瞬态电压抑制器 (Transient Voltage Suppressor ， TVS) 。放电管的耐电流能力很强，但是其反应速度慢，箝制电压也非常高；压敏电阻的寄生电容大，导通电阻也高，且低电压的压敏电阻漏电流大；而利用半导体工艺制作的 TVS 二极管具有漏电 ...; 25 次阅读|0 个评论

分享高压功率IC片上静电防护器件之版图形式: 涛意隆 2024-6-22 13:34; 导语： nLDMOS 已经被广泛应用在电源管理芯片、 LED/LCD 驱动、便携产品和汽车电子等功率 IC 领域，其优点是：它可以被同时用作内核电路的输出驱动管和输出端口的 ESD 箝位器件。湖南静芯微电子技术有限公司研究发现， nLDMOS 版图实现的具体形式对器件静电防护性能也存在着一定的影响。正文： ...; 23 次阅读|0 个评论

分享高压功率IC片上静电防护器件之BSDOT结构: 涛意隆 2024-6-22 13:22; 导语： LDMOS 是功率 IC 的常用器件，它作为片上静电防护器件使用时，与低压 MOSFET 一样存在静电泄放电流非均匀分布的问题。该问题是 LDMOS 器件静电鲁棒性提高的主要障碍。湖南静芯微电子技术有限公司开发的 BSDOT 器件，在相同面积下将 LDMOS 的静电防护潜能提高一倍。正文： ...; 19 次阅读|0 个评论

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